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趋势与展望 Outlook features BCD工艺概述 1 2 2 陈志勇 ，黄其煜 ，龚大卫 (1.上海交通大学 微电子学院，上海 200030； 2.上海先进半导体制造股份有限公司，上海 200233） 摘要：介绍了BCD (bipolar CMOS DMOS）的工艺原理、特点和发展前景。对BCD工艺兼容性 进行了说明，着重阐述了LDMOS的工艺原理和关键工艺设计考虑。文章结合应用，指出BCD工艺朝着 高压、高功率、高密度三个主要方向分化发展，并对BCD工艺的最新进展作了概述。对电源管理和显示 驱动这两大市场驱动进行了分析，并对国内企业进入该领域所面临的机会与挑战作了阐述与展望。 关键词：BCD工艺；双扩散金属氧化物半导体管；模块化；高压；高密度 中图分类号：TN305.7文献标识码：A 文章编号：1003-353X(2006)09-0641-04 Overview of BCD Process 1 2 2 CHEN Zhi-yong，HUANG Qi-yu，GONG Da-wei (1.School of Microelectronics，Shanghai Jiaotong University, Shanghai200030,China ; 2. 200233, China) Abstract: into this hopeful field were also discussed. Key words:BCD process；DMOS；modularization；high voltage；high density 了解BCD工艺的特点，需要先了解双极管 1 引言 bipolar，CMOS和DMOS器件这三种器件的特点， BCD是一种单片集成工艺技术。1986年由意法 详见表 1。 半导体 （ST）公司率先研制成功，这种技术能够 BCD工艺把双极器件和CMOS器件同时制作在 在同一芯片上制作双极管bipolar，CMOS和DMOS 同一芯片上。它综合了双极器件高跨导、强负载驱 器件，称为BCD工艺。 动能力和CMOS集成度高、低功耗的优点，使其 表1双极管Bipolar，CMOS和DMOS器件的特点 器件类别 器件特点 应用 双极器件 两种载流子都参加导电，驱动能力强，工作频率 模拟电路对性能要求较高部分(高速、强驱动、高精度) 高，集成度低 CMOS器件 集成度高，功耗低 适合做逻辑处理，一些输入，也可做输出驱动 DMOS器件 高压大电流驱动 （器件结构决定漏端能承受高压，模拟电路和驱动，尤其是高压功率部分，不适合做逻辑处理。 高集成度可在小面积内做超大W/L） Sept ember 2006 Semiconduct or Technol ogy Vol . 31 N o . 9 641 趋势与展望 Outlook features 互相取长补短，发挥各自的优点。更为重要的是， 有源、漏、栅等电极