清华coms模电课件第一章.pdf

清华大学模电课件第一章.ppt * 第一章 集成电路元器件基础第一节半导体基础知识一、固体按导电性能可分为三类：导体：绝缘体：半导体：如：金、银、铜、铝等如：云母、陶瓷等如：硅Si、锗Ge、砷化镍GaAs等一、半导体的特性：杂质、温度、光照对ρ影响较大定义：没有杂质、纯净的单晶体称为本征半导体（一）本征半导体的共价键结构 1、Si、Ge原子结构模型 +14 Si +32 Ge +4 价电子惯性核三、本征半导体 2、共价键结构 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 3、本征激发 +4 导带价带 Eg禁带导带价带 Eg禁带导带价带 Eg禁带自由电子空穴空穴带单位

2019-03-03 约2.04千字 24页立即下载

清华coms模电课件第十章.pdf 第十讲可综合代码设计 DC综合介绍李福乐 Lifule@tsinghua.edu.cn Outline • 综合简介 • 可综合代码设计 • Synopsys DC的设置和综合约束条件 • 面向综合的设计划分综合简介 Introduction to synthesis

2018-05-22 约4.55万字 120页立即下载

清华coms模电课件第三章.pdf 本讲内容 • 版图电路分析（以COMPASS 自带的集成电路课程设计 1.2um CMOS标准单元库为例）第三讲 – 开关与反相器 – 基本逻辑单元李福乐 – 触发器单元

2018-05-19 约2.97万字 11页立即下载

清华coms模电课件第九章.pdf 第九讲 Cell-based flow verilog简介李福乐 Lifule@tsinghua.edu.cn Full-custom设计流程电路编辑composer 前端电路编辑Microsim

2018-05-23 约2.9万字 102页立即下载

清华coms模电课件第十二章.pdf 第十二讲深亚微米工艺下的电路设计 (讨论) 李福乐 lifule@tsinghua.edu.cn Outline • 按比例缩小原理 • 短沟道效应 • 深亚微米工艺下的设计讨论 • SOC设计按比例缩小原理 • 理想的晶体管按比例缩小 – 纵向和横向尺寸均缩小α倍( α1) – 电源电压和晶体管阈值电压降低α倍

2018-05-21 约1.74万字 52页立即下载

模电第一章全解.ppt 习题 1.4.1 1.5.1, 1.5.2, 1.5.6 * 图中看出，谐波次数越高，幅值分量越小，对原波形的贡献越小，所以在一定条件下可忽略高次谐波。 * 此处说明电压电流等为什麽用相量形式. * 等效电路由三个基本元件构成 * 放大电路存在电抗元件，如电容、电感。因此输入信号的频率不同，电路的输出响应也不同。模拟电子技术基础 1.1 信号 1.3 模拟信号和数字信号 1.2 信号的频谱 1.4 放大电路模型 1.5 放大电路的主要性能指标一．什么是电子技术？又称为电子学（electronics），它主要研究怎样用电子器件构成电路去控制电子运

2017-01-25 约2.96千字 32页立即下载

模电第一章3节全解.ppt 第三节双极型三极管 * 第三节双极结型三极管三极管的结构三极管中载流子的运动和电流分配关系三极管的特性曲线三极管的主要参数总目录下页 * 半导体三极管晶体管 (transistor) 双极型三极管或简称三极管制作材料：分类：它们通常是组成各种电子电路的核心器件。双极结型三极管又称为：硅或锗 NPN型 PNP型下页上页首页 * 一、三极管的结构三个区发射区：杂质浓度很高基区：杂质浓度低且很薄集电区：杂质浓度低发射结集电结集电区基区发射区 c b e NPN型三极管的结构和符号两个PN结发射结集电结三个电极发

2017-01-26 约字 26页立即下载

模电第一章2学分概要.ppt 模拟电子技术要求和目的: 第1章半导体器件例1：二极管：死区电压=0 .5V，正向压降 =0.7V(硅二极管) 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0 RL ui uO ui uo t t 二极管半波整流例2：试判断下图中各二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压值。设二极管导通电压UD=0.7V R 2V uO + - 1.3V D RL 10V uO D + - -5V 5V R 10V uO D2 - + -9.3V 15V D1 12V D2 + - D1 9V R -0.7V IZmax +

2017-03-06 约3.98千字 53页立即下载

模电第一章2学分讲解.ppt 模拟电子技术要求和目的: 第1章半导体器件例1：二极管：死区电压=0 .5V，正向压降 =0.7V(硅二极管) 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0 RL ui uO ui uo t t 二极管半波整流例2：试判断下图中各二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压值。设二极管导通电压UD=0.7V R 2V uO + - 1.3V D RL 10V uO D + - -5V 5V R 10V uO D2 - + -9.3V 15V D1 12V D2 + - D1 9V R -0.7V IZmax +

2017-03-24 约3.98千字 53页立即下载

模电第一章3节案例分析.ppt 第三节双极型三极管 * 第三节双极结型三极管三极管的结构三极管中载流子的运动和电流分配关系三极管的特性曲线三极管的主要参数总目录下页 * 半导体三极管晶体管 (transistor) 双极型三极管或简称三极管制作材料：分类：它们通常是组成各种电子电路的核心器件。双极结型三极管又称为：硅或锗 NPN型 PNP型下页上页首页 * 一、三极管的结构三个区发射区：杂质浓度很高基区：杂质浓度低且很薄集电区：杂质浓度低发射结集电结集电区基区发射区 c b e NPN型三极管的结构和符号两个PN结发射结集电结三个电极发

2017-03-22 约4.74千字 26页立即下载

模电第一章案例分析.ppt 习题 1.4.1 1.5.1, 1.5.2, 1.5.6 * 图中看出，谐波次数越高，幅值分量越小，对原波形的贡献越小，所以在一定条件下可忽略高次谐波。 * 此处说明电压电流等为什麽用相量形式. * 等效电路由三个基本元件构成 * 放大电路存在电抗元件，如电容、电感。因此输入信号的频率不同，电路的输出响应也不同。模拟电子技术基础 1.1 信号 1.3 模拟信号和数字信号 1.2 信号的频谱 1.4 放大电路模型 1.5 放大电路的主要性能指标一．什么是电子技术？又称为电子学（electronics），它主要研究怎样用电子器件构成电路去控制电子运

2017-03-24 约2.96千字 32页立即下载

《光纤通信》课件,清华版,第一章.ppt 光纤通信技术讲解人: 王建萍联系电话: O) 办公地点：东主楼11区416室 E-mail: jpwang@tsinghua.edu.cn 第一章 光纤通信概述 1.1 光纤通信技术的发展史及现状 1.2 光纤通信系统概述 1.1光纤通信技术的发展史及现状什么是通信？ “通”传送，“信”信息；信息的传送基本组成：发送、传输、接收 1.1光纤通信技术的发展史及现状什么是通信？ “通”传送，“信”信息；信息的传送基本组成：发送、传输、接收光纤通信技术的主要优点光波频率很高，光纤传输的频带很宽，故传输容量很大，理论上可通上亿门话路或上万套电视，可进行图像、数据、传

2015-08-28 约8千字 58页立即下载

第一章 绪论清华大学郑莉ppt课件.ppt 第一章 绪论清华大学郑莉本章主要内容计算机程序设计语言的发展面向对象的方法面向对象的软件开发信息的表示与存储程序的开发过程计算机程序计算机的工作是用程序来控制的程序是指令的集合。指令是计算机可以识别的命令。机器语言与汇编语言由计算机硬件系统可以识别的二进制指令组成的语言称为机器语言。计算机发展的初期，软件工程师们只能用机器语言来编写程序。这一阶段，在人类的自然语言和计算机编程语言之间存在着巨大的鸿沟。汇编语言将机器指令映射为一些可以被人读懂的助记符，如ADD、SUB等。此时编程语言与人类自然语言间的鸿沟略有缩小，但仍与人类的思维相差甚远。因为它的抽象层

2017-05-28 约6.59千字 45页立即下载

模电课件第一章晶体二极管及其应用new-公开课件（讲义）.ppt 1．3 晶体二极管及其应用二极管的结构负极 P N 正极封装二极管的电路符号二极管符号中的箭头方向就是二极管正向电流的方向点接触型和面接触型 1．3 ．1 晶体二极管的伏安特性 1 ．二极管的理想伏安特性方程电流与端电压之间的关系 PN结伏安特性方程 uD是加在二极管上的端电压，UT为热电压当量，UT＝kT/q,（当T＝300K时UT ＝26mV）。IS即为PN结反向饱和电流，与少数载流子浓度有关正偏时取uD0，反偏时uD代入负值正偏PN结存在着一个导通电压UON ，称为二极管的正向开启（死区或门限）电压 PN结的伏安特性曲线（1）

2019-10-06 约5.06千字 22页立即下载

模电课件07第一章共射BJT小信号等效模型及参数.pptx RbRCusEBuCEuBEECNPN管共射组态的放大电路us是要放大的信号电压，称为输入电压EBEC是直流偏置电压RC称为集电极电阻RC能将集电极回路中的信号电流转化成为放大以后的信号电压 1.4.4共射BJT小信号等效模型及参数五共射BJT小信号等效模型及参数 IBVBEVbeibiBRbRCvsEBvCEvBEECvCE （一）晶体管的混合π型等效电路及参数rce·cπcμrbb’eoc·==··rccreerμrπob’bgmv1o基区复合电阻rbe所以（一）晶体管的混合π型等效电路及参数rce·cπcμrbb’eoc·==··rccreerμrπob’bgmv1o集电结电阻rbc

2025-04-10 约2.11千字 10页立即下载