电子元器件原理跟参数.ppt

2.共基极直流电流放大系数 =（IC－ICBO）/IE≈IC/IE 显然 与 之间有如下关系: = IC/IE= IB/?1+ ?IB= /?1+ ? ②极间反向电流 1.集电极基极间反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是 Open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于 集电结的反向饱和电流。 2.集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO和ICBO有如下关系 ICEO=（1+ ）ICBO 相当基极开路时，集电极和发射极间的反向 饱和电流，即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应 的Y坐标的数值。如图02.09所示。 图02.09 ICEO在输出特性曲线上的位置 (2)交流参数 ①交流电流放大系数 1.共发射极交流电流放大系数? ?=?IC/?IB?vCE=const 在放大区? 值基本不变，可在共射接法输出 特性曲线上，通过垂 直于X 轴的直线求取 ?IC/?IB。或在图02. 08上通过求某一点的 斜率得到?。具体方 法如图02.10所示。 图02.10 在输出特性曲线上求β 在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。 硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。 从击穿的机理上看，硅二极管若|VBR|≥7V时, 主要是雪崩击穿；若|VBR|≤4V时, 则主要是齐纳击 穿。当在4V～7V之间两种击穿都有，有可能获得 零温度系数点。 1.2.3 半导体二极管的参数 半导体二极管的参数包括最大整流电流IF、反向击穿电压VBR、最大反向工作电压VRM、反向电流IR、最高工作频率fmax和结电容Cj等。几个主要的参数介绍如下： (1) 最大整流电流IF—— 二极管长期连续工 作时，允许通过二 极管的最大整流 电流的平均值。 (2) 反向击穿电压VBR——— 和最大反向工作电压VRM 二极管反向电流 急剧增加时对应的反向 电压值称为反向击穿 电压VBR。 为安全计，在实际 工作时，最大反向工作电压 VRM一般只按反向击穿电压 VBR的一半计算。 (3) 反向电流IR (4) 正向压降VF (5) 动态电阻rd 在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。 在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3V。 反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然， rd与工作电流的大小有关，即 rd =?VF /?IF 1.2.4 半导体二极管的等效模型 线性化：用线性电路的方法来处理，将非线性器件用恰当的元件进行等效，建立相应的模型。 （1）理想二极管模型：相当于一个理想开关，正 偏时二极管导通管压降为0V，反偏时电阻无穷大，电流为零。 （2）理想二极管串联恒压降模型：二极管导通后， 其管压降认为是恒定的，且不随电流而变，典型值 为0.7V。该模型提供了合理的近似，用途广泛。注 意：二极管电流近似等于或大于1mA正确。 （3）折线模型：修正恒压降模型，认为二极管 的管压降不是恒定的，而随二极管的电流增加而 增加，模型中用一个电池和电阻 rD来作进一步 的近似，此电池的电压选定为二极管的门坎电压 Vth，约为0.5V，rD的值为200欧。由于二极管的 分散性，Vth、rD的值不是固定的。 （4）小信号模型：如果二极管在它的V-I特性的 某一小范围内工作，例如静态工作点Q（此时有 uD=UD、iD=ID）附近工作，则可把V-I特性看成 一条直线，其斜率的倒数就是所求的小信号模型 的微变电阻rd。 1.2.5 半导体二极管的型号 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 半导体二极管图片 1.2.6 特殊二极管 稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊硅二极管。稳压二极管的伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线完全一样，稳压二极管伏安特性曲线的反向区、符号和典型应用电路如图01.