光刻工艺和设备.pdf

光刻 加工平台 光刻培训流程 到平台秘书处报名预约培训 理论培训 需付费人签字 填写培训申请表 上机培训 实习期内不得独立上机 操作，需相关人员陪同 实习期 •正式授权后如一年内未进行上 正式授权使用 机操作者需从新授权使用 光刻简介 光刻的本质是把制作在掩膜版上的图形复制到以后 要进行刻蚀和离子注入的晶圆上。其原理与照相相 似，不同的是半导体晶圆与光刻胶代替了照相底片 与感光涂层。 光刻流程图 前部工艺 清洗 表面处理 涂胶 前烘 对准 曝光 坚膜 显影 后烘 核心工艺 否 去胶 检查 黄光室 通过 刻蚀 注入 基本工艺流程 • 旋转涂胶 •对准和曝光 • 显影 光源 光刻版 光刻胶 衬底 光刻胶 光刻胶是一种有机化合物，受紫外曝光后，在显影溶液中的溶解度会发生变化。 晶片制造中所用的光刻胶通常以液态涂在硅片表面，而后被干燥成胶膜。 负性光刻胶 　负性光刻胶在曝光后硬化变得不能溶解。 正性光刻胶 正性光刻胶曝光后软化变得可溶。 UV