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第 40 卷 第 5 期 核 技 术 Vol.40, No.5
2017 年 5 月 NUCLEAR TECHNIQUES May 2017
X 射线干涉光刻方法制备表面增强拉曼散射基底
刘 星 1,3 陶旭磊 1,3 王春鹏 1 周晓娟 2,3 杨树敏 1 吴衍青 1 邰仁忠 1
1 (中国科学院上海应用物理研究所张江园区 上海 201204 )
2 (中国科学院高能物理研究所 北京 100049 )
3 (中国科学院大学 北京 100049 )
摘要 表面增强拉曼散射(Surface-enhanced Raman Scatting, SERS)是一种非常重要的化合物分析技术,在光谱
分析、生物传感等领域有着广泛的应用。理想的 SERS 基底需要同时具有高灵敏度和高均一性,这就需要制
备一种大面积并且周期小于 100 nm 的金属纳米阵列。同步辐射X 射线干涉光刻技术具有很高的光刻分辨能力
和均匀性,可以制备高密度的金属纳米阵列。利用 X 射线干涉光刻方法制备了区域面积为 320 μm×440 μm 和
周期为 100 nm 的二维周期结构,同时保持了高复制性和优异的均匀性。金属纳米阵列作为表面增强拉曼散射
−9 mol·L−1 。在单片样品内的均
基底时可以提供很好的灵敏度和重复性。对于 R6G 染料,最低探测极限可达 10
匀性良好,相对标准偏差为 6.72% 。此外,表面拉曼增强基底能重复利用,可进一步降低成本。
关键词 X 射线干涉光刻,金属纳米阵列,表面增强拉曼散射
中图分类号 TL99
DOI: 10.11889/j.0253-3219.2017.hjs.40.050101
Fabrication of surface enhanced Raman scattering substrate by X-ray interference
lithography
LIU Xing1,3 TAO Xulei1,3 WANG Chunpeng1 ZHOU Xiaojuan2,3
1 1 1
YANG Shumin WU Yanqing TAI Renzhong
1(Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Zhangjiang Campus, Shanghai 201204, China)
2(Institute of High Energy Physics , Chinese Academy of Sciences, Beijing 10
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