一种IGBT功率端子.pdf
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(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220526908U
(45)授权公告日2024.02.23
(21)申请号202322104942.1
(22)申请日2023.08.04
(73)专利权人安徽省宁国市万连电子有限公司
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1 IGBT 的驱动特性
1.1 驱动特性的主要影响因素
IGBT的驱动条件与IGBT的特性密切相关。设计栅极驱动电路时，应特别注意开通特性、负载短路能力和dv/dt 引起的误触发等问题。 栅极电压Uge增加（应注意Uge过高而损坏IGBT），则通态电压下降（Eon也下降），如图1所示(此处以200A IGBT为例)。由图1中可看出，若Uge固定不变时，导通电压将随集电极电流增大而增高，如图1a，电流容量将随结温升高而减少（NPT工艺正温度特性的体现）如图1b所示。
（a）Uge与Uce和Ic的关系 （b）Uge与Ic和Tvj的关系
图1
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