AlGaN的光电性质及深紫外探测器的中期报告.docx

AlGaN的光电性质及深紫外探测器的中期报告 AlGaN是一种宽带隙半导体材料，具有优异的光电性质，特别是在深紫外波段有很好的表现。因此，AlGaN被广泛应用于深紫外LED、激光二极管和探测器等领域。 在深紫外波段，AlGaN的吸收系数很大，达到了几十万分之一的级别。同时，AlGaN具有很高的载流子迁移率和电子浓度，这使得它在深紫外光探测器中具有很高的探测效率和响应速度。 AlGaN深紫外探测器通常采用金属半导体金属（MSM）结构，其中两个相邻的金属电极与AlGaN半导体层之间分别形成Schottky接触和欧姆接触。在这种结构中，光子被吸收并产生电子空穴对，电子被吸引到短接的金属电极中，而空穴被吸引到另一个金属电极中。通过测量这两个电极之间的电流，可以测量到光的强度。 在目前的研究中，AlGaN深紫外探测器的电流响应速度已经达到了上百兆赫兹，具有很高的光学信噪比和灵敏度。此外，为了进一步提高探测器的性能，还研究了一些新的结构，如薄膜光伏结构和异质结结构。 总的来说，AlGaN在深紫外光探测器中具有很高的应用潜力，未来还有很多研究空间。