【2017年整理】2.7场效应管放大电路0.ppt

2.7 场效应管放大电路;  ; BJT是一种电流控制元件(iB~ iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。 场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种电压控制器件(uGS~ iD) ，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。 FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。;场效应管的特点 ;1）结型场效应三极管JFET (Junction type Field Effect Transister) ;FET;2.7.1 结型场效应管; 二、工作原理; 1、栅源电压对沟道的控制作用;2、漏源电压对沟道的控制作用; 在漏源间加电压uDS ，令uGS =0 由于uGS =0，所以导电沟道最宽。 ①当uDS=0时， iD=0。 ;;四个区：;2、转移特性曲线： iD=f（ uGS ）│uDS=常数;N沟道JFET正常放大时各电极电压极性;四、 结型场效应管的主要参数;⑤ 直流输入电阻RGS：;2.7.2 ???缘栅型场效应管;;一、结构和符号 ;二、工作原理;(1). uGS=0 , uDS≠0;;;; 当uGS＞0V时→纵向电场 →将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。; 定义： 开启电压 UT (UGS(th))——刚刚产生沟道所需的 栅源电压UGS。;;;;;2、漏源电压uDS的控制作用;;三、增强型MOS场效应管的伏安特性;三、增强型MOS场效应管的伏安特性;2、转移特性曲线： iD=f(uGS)?uDS=const; 一个重要参数——跨导gm：;N沟道增强型MOS场效应管正常放大时各电极电压极性;四、耗尽型MOS场效应管;N沟道耗尽型MOSFET的特性曲线;N沟道耗尽型MOSFET正常放大时各电极电压极性;1.4.3、场效应管的主要参数;结型场效应管:;（6） 最大漏极功耗PDM PDM= UDS ID，与双极型三极管的PCM相当。;1.4.4 各种场效应管特性的比较;各种场效应管的输出特性对比 ;;;三个电极的对应情况：;2.7.2 场效应管放大器的偏置电路及静态分析 ;1.自给偏压电路;2.分压式偏置电路;2.7.3 场效应管的小信号模型 ;场效应管放大电路;;（2）电压增益;（4）输出电阻;例1：如图所示的共源放大器。求其电压增益、输入电阻、输出电阻的表达式。;解：;例2、判断下列电路能否正常工作。