场效应管放大电路.pptx

第5章场效应管放大电路

5.1金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管

5.2MOSFET放大电路

5.3结型场效应管（JFET）

*5.4砷化镓金属-半导体场效应管

5.5各种放大器件电路性能比较

•2025-5-11•1

场效应管的分类：

N沟道

增强型

MOSFETP沟道

(IGFET)N沟道

FET绝缘栅型耗尽型

场效应管P沟道

N沟道

JFET（耗尽型）

结型

P沟道

耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在

增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道

•2025-5-11•2

关于MOS场效应管符号的说明：

DDD

D

BBB

GGGG

S

SSS

N沟道增强表示衬底N沟道耗N沟道结

型MOS管，在内部没尽型MOS型MOS管。

衬底箭头向有与源极管。漏、没有绝缘

里。漏、衬连接。衬底和源层。

底和源、分不断开表

开，表示零示零栅压

栅压时沟道时沟道已

不通。经连通。

•2025-5-11如果是P沟道，箭头则向外。•3

5.1.1N沟道增强型MOSFET

MOSFET的主要参数

5.1金属-氧化物-

半导体（MOS）5.1.2N沟道耗尽型MOSFET

场效应管

5.1.3P沟道MOSFET

5.1.4沟道长度调制效应

•2025-5-11•4

01

结构（N沟道）

5.1.1N沟道增强型

MOSFET02：沟道长度

03：沟道宽度

04