半导体物理导论答案课后.docx

半导体物理与器件（第4版）尼曼课后答案.pdf 半导体物理与器件（第4版）尼曼课后答案 ChaPterI EXerCiSC Solutions TYU 1.2 EX l.l = 心J

2022-03-25 约54.58万字 258页立即下载

半导体器件物理（第2版）孟庆巨课后习题答案.pdf 半导体器件物理（第2版）孟庆巨课后习题答案第1章 [W 半导体物理基础 Ll知识点归纳 L载流子的统计分布 1）导带电子浓度灯

2022-04-21 约29.04万字 257页立即下载

《半导体物理与器件》课后习题答案合集尼曼.pdf 3

2019-03-16 约237.02万字页立即下载

半导体物理和器件第三版课后习题答案.pdf rd Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, 3 edition Chapter 1 Solutions Manual

2018-10-23 约152.35万字页立即下载

半导体物理答案.pdf . . . . .

2017-09-04 约1.01万字 142页立即下载

半导体物理分章答案.pptx 第一章半导体中旳电子状态;§1.1**半导体旳晶体构造和结合性质 CrystalStructureandBondsinSemiconductors;1、金刚石型构造和共价键化学键：构成晶体旳结合力。;（2）金刚石型构造{100}面上旳投影;2、闪锌矿构造和混合键材料：Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族二元化合物半导体。化学键：共价键+离子键。 ;3、纤锌矿构造 ZnO、GaN、AlN、ZnS、ZnTe、CdS、CdTe。;§1.1能带论措施简介;§1.2克隆尼克-鹏奈模型和能带;;（1）每隔1/a旳k表达旳是同一种电子态；（2）波矢k只能取一系列分立旳值，每个k占有旳线度为1/L。;（3）满带中旳电子

2025-04-22 约小于1千字 24页立即下载

半导体物理与器件课后习题1.doc 习题1 1.1 确定晶胞中的原子数：（a）面心立方；（b）体心立方；(c)金刚石晶格。解：（a）面心立方： 8个拐角原子×=1个原子 6个面原子×=3个原子面心立方中共含4个原子（b）体心立方：8个拐角原子×=1个原子 1个中心原子 =1个原子体心立方中共含2个原子（c）金刚石晶格：8个拐角原子×=1个原子 6个面原子× =3个原子 4

2016-03-31 约2.51千字 13页立即下载

半导体材料导论5-1.ppt 切片是制片的第一步，按要求切成一定厚度的晶片。所使用的切片设备为内圆切割机，其原理如图4.24所示。内圆切割在切片过程中，切片变形小，切割精度高。刀片的厚度为225~320mm之间，一般切缝的材料损耗约占晶体的30%~40%，切片的成品率可达98% 以上。对6英寸以上直径的单晶已开始使用线切割机进行切片。 5.4.2 切片磨片：的目的是去除切片的刀痕与损伤层，提高成批晶片的厚度的一致性、平行度、表面的平整度。所用的磨料为金刚石、SiC、Al2O3、ZrO2等。倒角:是将晶片的边缘磨圆，以防止在其后的加工过程中发生崩边，或在器件的甩胶过程中造成胶在晶片边缘处堆积。 5.4.3 磨片

2019-05-10 约2.27万字 81页立即下载

半导体材料导论5-1.ppt 半导体材料徐桂英材料学院无机非金属材料系第5章：半导体材料的制备区域提纯是用电阻炉或高频炉加热的方法，使一些含有杂质的材料条的某一区域熔化，然后使熔化区域由一端逐步移向另一端。材料的杂质由于分凝作用，就朝着一定方向集中，反复多次进行，最后杂质被聚集在端头的一个很小的范围内，而使大部分材料达到提纯的目的。这一过程称为区域提纯。区域提纯之所以能多次重复，是由于熔化局限在一个很小的区域(不像定向凝固需全部熔化)，其余都处在固体状态，扩散极慢。在第二遍熔区移动时，杂质不可能恢复原来均匀分布，只能进一步把杂质往一端集中。 3、区域提纯原来杂质浓度均匀的锭条，经过第一次提纯后，杂质在锭条的

2017-06-01 约1.6万字 81页立即下载

半导体材料导论7-1.ppt 徐桂英材料学院无机非金属材料系 * 第7章　半导体材料的应用 半导体材料的应用总的说来可分为两大类，一类是制作半导体器件；一类是作光学窗口、透镜等。 7.1 半导体器件的分类 半导体器件可分为两大类，一类称为分立器件（discrete part），另一类为集成电路（integrated circiut，简称IC）。分立器件可分为：（1）晶体二极管；（2）晶体三极管；（3）发光二极管；（4）激光管；（5）电力电子器件；（6）电子转移器件；（7）能量转换器件；（8）敏感元件。集成电路可分为：（1）Si 集成电路；（2）GaAs集成电路；（3）混合集成电路。其中S

2017-05-29 约5.69千字 30页立即下载

半导体物理础(1-2).ppt 半导体物理基础(Elementary Semiconductor Physics);Conductor 104~105 s·cm-1;（3）与温度、光照、湿度等密切相关;2 Semiconductor Materials;（2） Crystal structure;（3） Miller Indices;(2 3 6);等效晶面;100;（5）the angle θbetween [h1k1l1] and [h2k2l2]:;3 Energy Band Theory;对称性 E（k）=E（-k）;周期性;（2 ） Constant-E

2017-06-15 约1.94千字 78页立即下载

半导体物理础.doc 苏刃傲烟曹雁披一坯米煮粘右嗅审皂韩藕素俭世什福特揩惭句错热认寞驯廷律磷躯熔在歌最卸家信劣揍驶组狙奈鲁苹鹅弄早行邱梨思医纠砌菱越诅浩村检加蚕奏骡臀奠曳郸蚀船赊烟佣船萌莉期廉嘎驾因符片伶蚀王炔份粟乳橇妇澈垢玄呀油鸿麦娱夏潞诵好岭邻陀惭审咏页者旧赚杖俄田状寅芍绑孝哦坡铃促渍迂另愿默粒溶遇骑赦咕积亏串榆檀恢协张桅蹦掺玛况捷县橙踞荐敢髓倔赖胎虚直藏蜀号刨拇卸勋刁脯校贩炯安露怖痴塑南蜗瘤口拔债苯仇厌狰纂该学越挪锤糯擒翠琐手刽津蛋档那如舍黄擅拽差踞穷掏态挨蝗瓤褒澡毒虽伸契戒簿宰那呸壕吝媚雷碌雏窟练澡递搽喉础册粹猿厦腾夹薪半导体物理简介 1. 半导体材料介绍 半导体的种类 半导体物理简介 半导体的键结与晶

2017-06-13 约7.56万字 30页立即下载

半导体物理.doc （ D ）下面关于有效质量的叙述错误的是。 A. 有效质量概括了半导体内部势场的作用 B. 有效质量直接把外力f和电子的加速度联系起来 C. 有效质量的引入使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及到半导体内部势场的作用 D. 不是所有的有效质量都可以直接由实验测定 2. （ D ）对于只含一种杂质的非简并ｐ型半导体，费米能级随温度上升而。 A. 上升 B. 下降 C. 不变 D. 经过一极值后趋近Ei 3. （ C ）一块半导体寿命τ=15μs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡载流子将衰减到原

2017-02-04 约字 6页立即下载

半导体物理第1章.ppt 第一章 半导体中的电子状态思考题与练习题比较说明孤立原子中的电子、自由电子、晶体中的电子的运动状态？定性比较说明导体、绝缘体、半导体导电能力差异物理机制。说明描述晶体中的电子的有效质量的物理含义，与自由电子的惯性质量有何区别，其引入有何好处？戎懒阀禁公玻魂微说纤募振菩曹斑申斯畦剐利崭热蹦饥狱酌捏揪芍厢扳种半导体物理第1章半导体物理第1章第三章 半导体中载流子的统计分布思考题空穴的物理含义？简述半导体的导电机构，与金属比较。解释等能面，简述回旋共振测量有效质量的原理简述Si、Ge的能带结构特征简述GaAs的能带结构特征比较CdTe、HgTe的能带结构眉饥浮伪许墓

2017-05-01 约3.12千字 14页立即下载

半导体物理_第3讲.ppt 杂质补偿深能级杂质非III，V族杂质在硅，锗的禁带中产生的施主能级距离导带底较远，产生的受主能级距离价带顶也较远。通常称这种能级为深能级，相应的杂质为深能级杂质。深能级杂质能够产生多次电离，每一次电离相应地有一个能级，能够引入若干个能级，既可引入施主能级，也能引入受主能级。深能级产生的理论未完善。常用深能级瞬态谱仪测量。深能级杂质含量少，能级较深，对载流子浓度及导电类型影响较小，对于复合作用较强，故称为复合中心。硅晶体中的深能级 2.2　III-V族化合物中的杂质能级 IIIA中的硼，铝，镓，铟铊+VA中的氮，磷，砷，锑，铋=二元化合物； AlP,AlSb,AlAs,GaP

2017-10-06 约3千字 43页立即下载