AlGaNGaN HEMT肖特基接触技术研究的开题报告.docx
AlGaNGaNHEMT肖特基接触技术研究的开题报告
1.研究背景
目前,GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)已成为高功率、高频率和高温应用中的主要器件之一。其中,AlGaN/GaNHEMT是一种潜在的高功率和高频设备,它具有较高的漏电流抑制能力、高电子迁移率和优异的热稳定性能。而肖特基接触技术作为一种常用的制备方法,也被广泛应用在AlGaN/GaNHEMT器件中。本研究旨在对AlGaN/GaNHEMT肖特基接触技术进行深入的研究,以提高器件性能和可靠性。
2.研究内容
本研究计划从以下几个方面展开研究:
(1)AlGaN/GaN材料的生长
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在sapphire衬底上生长AlGaN/GaN材料。通过调节生长温度、气氛和材料比例等参数,获得质量稳定的AlGaN/GaN材料。
(2)肖特基接触结构的设计与制备
采用电子束、光刻和等离子体刻蚀等技术,制备AlGaN/GaNHEMT的肖特基接触结构。通过优化肖特基接触结构的几何形状、厚度和材料,提高接触电阻和漏电流抑制能力。
(3)性能表征
利用4点探针、霍尔效应和电子束退火等技术,对制备的AlGaN/GaNHEMT器件进行性能测试。分析其电学特性、热稳定性能和在高功率、高频率和高温环境下的性能表现。
3.研究意义
本研究将深入探究AlGaN/GaNHEMT肖特基接触技术的制备和性能特点,为其在高功率、高频率和高温工作条件下的应用提供支持。同时,本研究将拓展肖特基接触技术在半导体器件中的应用,为其它器件结构的设计提供参考。