肖特基二极管在HTRB试验中的电损伤分析.pdf

：极管在ＨＴＲＢ试验中的电损伤分析

成的势垒，该势垒具有整流特性而形成的金属一半导体一侧扩展的耗尽区宽度变为。

体二极管，其结构如图３所示，在Ｎ型衬底上生长一在反偏状态下金属一半导体接触能带示意图如图

层Ｎ一外延层以提高耐压，通过在Ｎ一外延上蒸发或者６所示，此时的能带图显示，从半导体到金属电子跃迁

溅射一层金属层实现金属和半导体接触，形成二极管的势垒变高，电子进入金属变得困难，使金属半导体

势垒［。接触具有阻碍电流通过的目的，此时耗尽区宽度（见

式（２））变宽。

ｆ

图２肖特基二极管击穿后内部失效点形貌

当金属与Ｎ型半导体接触时，因为半导体费米能

级比金属费米能级高，电子将从半导体向金属转移，图５反偏状态下肖特基二极管结构

转移的电子在金属表面形成一层电荷，在半导体一侧

形成带正电荷的耗尽层，耗尽层宽度为如图４所

示，其中耗尽层宽度。（见式（１））与Ｎ一掺杂浓度相关。

Ｖ｜２ｓｖＩｂｌ

、

一

图６反偏状态下金属一半导体接触能带示意图

２．２肖特基二极管热电子发射理论

在正向偏置条件下，肖特基二极管主要的电流运

输方式是多数载流子运输ｐ—（ｎ结二极管主要是少数

载流子运输），如图７所示，包含５种运输方式］：（１）

图３肖特基一：极管结构热电子发射；２）（隧穿电流；３）（复合；４）电子（扩散；（５）