p型Al_6H_SiC肖特基二极管特性研究.pdf

38 3 2001 6 半导体情报 59 / 6 - p Al H SiC 罗小蓉, 龚敏 ( 四川大学物理系, 四川成都　6 10064) : 研究了 型 / 6 - 肖特基二极管的基本制作工艺 其电学参数。采用电流-电压法( - p Al H SiC I b b V ) 测试了肖特基二极管的理想因子n 和肖特基势垒高度 。对其基本电学参数n 和 的温度特 性进行了研究, 并分析了串联电阻对I -V 特性的影响。 : 6H 碳化硅; 肖特基二极管; 宽禁带半导体 : TN 305; TN31: A: 1001-5507 ( 2001) 03-0059-03 - / 6 - A study of the characteristi cs of p type Al H SiC schottky diode - , LU O Xia r ng GONG M in ( Phys ics D ep art ment of S ichuan Univ ers ity , Cheng du 610064, China) Abstract: The manufacturing pr cess and electrical parameters f p-type 6H-SiC sch ttky di de are studied in the paper. The ideality fact r n and barrier height b f the sch ttky di de are mea- sured w ith meth d f current-v ltage(I -V ) . We present temper ature characteristics f the ideality b - fact r n and barrier and analyze the effects f the series resistance n characteristics f current v ltage (I -V) f the sch ttky di de. Keywords: 6H-SiC; sch ttky di de; wide band semic nduct r 1　引　言 Si , , , , , ( 100 ) , 200 , V [ 14] ,