动力学晶格蒙特卡洛方法模拟Cu薄膜生长.pdf
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第 卷第 期 光 子 学 报
39 1
Vol.39No.1
年 月
2010 1 Januar2010
ACTAPHOTONICASINICA y
文章编号: ( )
1004421320100100625
动力学晶格蒙特卡洛方法模拟 薄膜生长
Cu
吴子若,程鑫彬 ,王占山
(同济大学 精密光学工程技术研究所,上海 200092)
摘 要:利用动力学晶格蒙特卡洛方法模拟了 薄膜在 ( )面上的三维生长过程 模型中考
Cu Cu100 .
虑了四个动力学过程:原子沉积、增原子迁移、双原子迁移和台阶边缘原子迁移,各动力学过程发生
的概率由多体势函数确定 讨论了基底温度、沉积速率及原子覆盖率对 原子迁移、成核和表面
. Cu
岛生长等微观生长机制的影响;获得了 薄膜的表面形貌图并计算了表面粗糙度 模拟结果表
Cu .
明,随基底温度升高或沉积速率下降,岛的平均尺寸增大,数目减少,形状更加规则 低温时, 薄
. Cu
膜表现为分形的离散生长,高温时, 原子迁移能力增强形成密集的岛 薄膜表面粗糙度随着
Cu .Cu
基底温度的升高而迅速减小;当基底温度低于某一临界温度时,表面粗糙度随原子覆盖率或沉积速
率的增大而增大;当基底温度超过临界温度时,表面粗糙度随原子覆盖率或沉积速率的变化很小,
基本趋于稳定.
关键词:薄膜生长;原子迁移; 模拟;沉积速率;基底温度;原子覆盖率;表面粗糙度
KLMC
中图分类号: 文献标识码: : /
O484.1 A 犱狅犻10.3788 zx0062
g
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13 模拟了弯折( )沿台阶生长等微观演
0 引言 Takano Kink
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14
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