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动力学晶格蒙特卡洛方法模拟Cu薄膜生长.pdf

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第 卷第 期 光 子 学 报 39 1       Vol.39No.1 年 月              2010 1 Januar2010 ACTAPHOTONICASINICA y 文章编号: ( ) 1004421320100100625 动力学晶格蒙特卡洛方法模拟 薄膜生长 Cu  吴子若,程鑫彬 ,王占山 (同济大学 精密光学工程技术研究所,上海 200092) 摘 要:利用动力学晶格蒙特卡洛方法模拟了 薄膜在 ( )面上的三维生长过程 模型中考 Cu Cu100 .   虑了四个动力学过程:原子沉积、增原子迁移、双原子迁移和台阶边缘原子迁移,各动力学过程发生 的概率由多体势函数确定 讨论了基底温度、沉积速率及原子覆盖率对 原子迁移、成核和表面 . Cu 岛生长等微观生长机制的影响;获得了 薄膜的表面形貌图并计算了表面粗糙度 模拟结果表 Cu . 明,随基底温度升高或沉积速率下降,岛的平均尺寸增大,数目减少,形状更加规则 低温时, 薄 . Cu 膜表现为分形的离散生长,高温时, 原子迁移能力增强形成密集的岛 薄膜表面粗糙度随着 Cu .Cu 基底温度的升高而迅速减小;当基底温度低于某一临界温度时,表面粗糙度随原子覆盖率或沉积速 率的增大而增大;当基底温度超过临界温度时,表面粗糙度随原子覆盖率或沉积速率的变化很小, 基本趋于稳定. 关键词:薄膜生长;原子迁移; 模拟;沉积速率;基底温度;原子覆盖率;表面粗糙度 KLMC 中图分类号: 文献标识码: : / O484.1 A 犱狅犻10.3788 zx0062           g [ ] 13 模拟了弯折( )沿台阶生长等微观演 0 引言 Takano Kink   [ ] 14
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