SJ_T 11505-2015蓝宝石单晶抛光片规范.pdf

ICS 29. 045H 83Su备案号：50562-2015中华人民共和国电子行业标准SJ/T 11505—2015蓝宝石单晶抛光片规范Sapphire single crystal polished wafers specification2015－10 01 实施2015- 04 - 30 发布发布中华人民共和国工业和信息化部2 SJ/T 11505—2015前言本标准按照GB/T1.1--2009制定的规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。本标准起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、合肥晶桥光电材料有限公司、天津中环领先材料技术有限公司、天通电子控股股份有限公司。樊志远、李翔、付雪涛。本标准主要起草人：何秀坤、李静、陈俊、:.2.茶--.-2-*33 SJ/T 11505--2015蓝宝石单晶抛光片规范1范围本标准规定了衬底和红外探测器窗口用蓝宝石单晶抛光片的技术要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存等内容。本标准适用于泡生法和直拉法生长的蓝宝石单晶抛光片，其它方法生长的蓝宝石单晶抛光片也可参照本标准。2规范性引用文件下列文件对于本文件的位用是必不可少的。凡是注日期的引用文，役所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的写1用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。囍GB/T1555！半导体单晶晶向X衍射测定方法：有.?逐批检查计数抽样程序及抽样表GB/T 28287-GB/T6618硅片厚度和和总厚度变化测试方法GB/T 6619“硅片弯曲测试方法学GB/T6621硅抛光片表面平整度测试方法-GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法GB/T14140三硅片直径测量方法：221GB/T14264半导体材料术语SJ/T11396、氮化镓基发光三极管蓝宝石衬底片红外探测器用蓝宝石窗口性能试验方法SJ/T 203873术语和定义GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件4 要求4.1:衬底抛光片蓝宝石单晶衬底抛光片的要求见SJ/T11396。4.2　窗口抛光片4.2.1材料蓝宝石窗口所用材料为蓝宝石单晶，其化学组成为α-Al2O3，蓝宝石单晶性能应符合如下要求：纯度应不低于99.995%；a）衍射摇摆曲线半峰宽度应不大于15孤秒；b)1 SJ/T 11505—2015位错密度应不大于1000个/cm²。c4.2.2外观表面无污染、无崩边、双面磨抛。4.2.3表面状况表面呈镜面，表面平整度、翘曲度、弯曲度应符合表1的规定。表1表面平整度、翘曲度和弯曲度单位为毫米直径 (D)D≤2525D≤5050D≤75平整度≤0.005≤0.007≤0.010翘曲度≤0.010≤0.020≤0.025弯曲度≤0.005≤0.007≤0.010注：其它规格抛光片的要求由供需双方商定。4. 2.4结晶完整性在所有直径范围内均应为单晶结构，目视无镶嵌、无云层、无气泡4.2.5晶向在所有直径范围内晶向均应为（0001）土1°4.2.6　几何尺寸直径、厚度及公差应符合表2的规定。表2直径、厚度及公差单位为毫米直径 (D)D≤2525D≤5035D≤75直径公差±0.10±0.10±0.10厚度 (H)0.600H≤0.8000.800H≤1.0001.000H≤1.500厚度公差±0.010±0.015±0.020注：其它规格抛光片的要求由供需双方商定。4. 2. 7透过率厚度为1mm时，在3 μm~5μm波长范围，透过率应不低于80%，通过率曲线应平滑、无吸收峰。4.2.8应力双折射应力双折射最大光程差应小于350nm/cm。4. 2. 99力学试验应能承受表3所规定的力学试验，试验后性能指标应无变化。2 SJ/T 11505—2015表 3 力学试验条件_试验项目离心加速度振动试验碰撞试验冲击试验试验试验条件20 Hz~2 000 Hz~20 Hz,振动频率加速度15g40次/min～80次/min，加速脉冲重复频率度35g，脉冲持续时间6ms80g，脉冲持续时60g，持续时间加速度间6 ms6 ms4.2.10环境试验性应能承受表4所规定的环境试验，试验后窗口性能指标应无变化。表4窗口环境试验条件试验项目交变湿热试验热冲击试验温度冲击试验试验条件~55℃→120℃，保持时间55℃←25℃，湿热连0℃→100℃，保持时间5min，温度30min，转换时间小于30 s，转换时间小于10s，共10周期续交变时间96 h共10周期93%湿度试验方法5 衬底抛光片5.1蓝宝石单晶衬底抛光片的试验方法见SJ/T11396。5.2窗口抛光片5.2.1杂质含量采用IC