位错的观察与密度.pptx

位错蚀坑的观察.doc 位错蚀坑的观察 一、实验目的使用金相显微镜观察晶体中的位错。二、实验原理当以适当的化学浸蚀法、电解浸蚀法进行浸蚀，以及在真空或其他气氛中进行加热时，位错线在晶体表面的露头处会由于位错应力场而发生腐蚀，或由于晶体表面张力与位错线张力趋于平衡状态的作用而使金属被扩散掉，在位错的位置形成蚀坑，借助一般金相显微镜或扫描电镜观察蚀坑便能判断位错的存在。为了证明蚀坑与位错的一致对应关系，可将晶体制成薄片，若在两个相对的表面上形成几乎一致的蚀坑，便说明蚀坑即位错。此外，在台阶、夹杂物等缺陷处形成的是平底蚀坑，很容易地区别于位错露头处的尖底蚀坑。图 6-1 位错蚀坑在各晶面上的形状和取向图

2017-08-17 约2.64千字 4页立即下载

钢中位错密度讲解.doc 位错密度分析一．位错密度对管线钢性能的影响管线钢的强化方式主要包括晶界强化、固溶强化、沉淀析出强化、位错强化等，其综合强化效果可用Hall-Petch公式的修正式表示[1]：其中：σs为管线钢的屈服强度； σ0为原铁素体强度； σsh为固溶强化产生的强度； σph为由沉淀强化产生的强度； σdh为由位错强化产生的强度； σth为由织构强化产生的强度； d为晶粒尺寸。图1为管线钢强化方式示意图。从图中可以看出对于高钢级管线钢，通过增加位错密度来提高强度已经成为了管线钢强化的重要方式。图1 管线钢的强化方式[1] 图2 高钢级管线钢TEM照片[2] 通过透射电

2016-04-23 约字 5页立即下载

位错蚀坑观察选编.ppt 位错蚀坑观察;一、实验目的;二、实验材料及设备;三、实验原理; 硅是金刚石型晶体结构，属于面心立方晶体点阵。位错蚀坑在各个晶面上的形状如图1所示。观察面为{111}晶面时，是正三棱锥坑（等边三角形）；观察面为{110}晶面时，是矩形底四棱锥坑（矩形）；观察面为{100}晶面时，是正方形底四棱锥坑（正方形）。因此，可以根据位错蚀坑的形状判断观察面所属晶面族。至于说，观察面不同为什么蚀坑形状不同这主要是因为被侵蚀的晶体表面总趋于以表面能最低的密排面作为外露面。 ;侵蚀剂： A液，HCl 0.5ml，H2O2 15ml，H2O 100ml （12s） B液，HCl 1ml，FeCl3·6

2017-04-19 约1.03千字 11页立即下载

实验二晶体位错观察.doc 实验一晶体位错观察 一、实验目的初步掌握用浸蚀法观察位错的实验技术。学会计算位错密度。二、实验设备 1. 单晶硅专用磨片机；2. 高纯热处理炉；3. 反光显微镜；4. 酸处理风橱；5. 纯水系统；6. 大、小烧杯；7. 大、小量筒8. 纯净干燥箱9. 超声清洗机，10. 硅单晶试样、11. 带测微目镜的金相显微镜、12. 切片机。三、实验原理由于位错是点阵中的一种缺陷，所以当位错线与晶体表面相交时，交点附近的点阵将因位错的存在而发生畸变，同时，位错线附近又利于杂质原子的聚集。因此，如果以适当的浸蚀剂浸蚀金属的表面，便有可能使晶体表面的位错露头处因能量较高而较快地受到浸蚀，从而形成小

2019-05-02 约2.07千字 5页立即下载

位错蚀坑观察概要.ppt 位错蚀坑观察一、实验目的了解利用侵蚀坑观察位错的方法。二、实验材料及设备纯铁显微镜三、实验原理选择适当的侵蚀剂和在一定侵蚀条件下，把晶体表面侵蚀掉一层，由于位错附近的点阵畸变以及杂质原子聚集等原因使其侵蚀速率与周围基体不同，一般是位错露头处侵蚀速率快，故形成蚀坑。现以硅单晶为例说明。（一）不同晶面上的位错蚀坑图1 位错蚀坑在各个晶面上的形状 a) {111}上的蚀坑 b){110}上的蚀坑 c) {100}上的蚀坑硅是金刚石型晶体结构，属于面心立方晶体点阵。位错蚀坑在各个晶面上的形状如图1所示。观察面为{111}晶面时，是

2017-02-03 约1.57千字 11页立即下载

位错蚀坑观察分析.ppt 位错蚀坑观察一、实验目的了解利用侵蚀坑观察位错的方法。二、实验材料及设备纯铁显微镜三、实验原理选择适当的侵蚀剂和在一定侵蚀条件下，把晶体表面侵蚀掉一层，由于位错附近的点阵畸变以及杂质原子聚集等原因使其侵蚀速率与周围基体不同，一般是位错露头处侵蚀速率快，故形成蚀坑。现以硅单晶为例说明。（一）不同晶面上的位错蚀坑图1 位错蚀坑在各个晶面上的形状 a) {111}上的蚀坑 b){110}上的蚀坑 c) {100}上的蚀坑硅是金刚石型晶体结构，属于面心立方晶体点阵。位错蚀坑在各个晶面上的形状如图1所示。观察面为{111}晶面时，是

2017-06-10 约1.57千字 11页立即下载

20CrMnTi钢位错密度的测定及其位错形态研究.pdf 第卷第期材料科学与工艺年月另几兀又钢 位错密度 的测定及其位错形态研究

2015-08-14 约2.72万字 3页立即下载

Al-Cu-Mg合金的预变形、位错密度与位错强化的定量研究.pdf Material Sciences 材料科学, 2015, 5, 126-133 Published Online May 2015 in Hans. /journal/ms /10.12677/ms.2015.53018 The Quantitative Research of Deformation, Dislocation Density and Dislocation Strengthening in Al-Cu-Mg Alloy 1

2020-11-18 约1.74万字 8页立即下载

碳化硅单晶抛光片位错密度检测方法.pdf 碳化硅单晶抛光片位错密度检测方法 1 范围本文件适用于检测面法线方向与C轴方向夹角范围为0°~8°的碳化硅单晶抛光片的位错 密度的检测。 2 规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 30656-2014 碳化硅单晶抛光片 3 术语和定义 GB/T 14264和GB/T 30656-201

2022-12-26 约3.51千字 5页立即下载

碳化硅单晶抛光片位错密度检测方法 .pdf 碳化硅单晶抛光片位错密度检测方法 1范围本文件适用于检测面法线方向与C轴方向夹角范围为0°~8°的碳化硅单晶抛光片的位错 密度的检测。 2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T14264半导体材料术语 GB/T30656-2014碳化硅单晶抛光片 3术语和定义 GB/T14264和GB/T30656-2014确立的术语和定义适用于本标准。 3.1 基平面位错BasalPlaneDislocation（BPD）其位错线

2024-12-05 约2.46千字 3页立即下载

2025-03-22 约3.4万字 48页立即下载

利用局域取向差衡量变形金属中的位错密度.pdf 35 11 材料热处理学报第卷第期 Vol ． 35 No ． 11 2 0 14 年 1 1 月 TＲANSACTIONS OF MATEＲIALS AND HEAT TＲEATMENT November 2 0 14 利用局域取向差衡量变形金属中的位错密度

2017-05-07 约3.32万字 7页立即下载

GB/T 8760-2020砷化镓单晶位错密度的测试方法.pdf 犐犆犛７７．０４０犎２１／ — 犌犅犜８７６０２０２０／ —

2020-10-17 约1.6万字 12页立即下载

GB/T 5252-2006锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法.pdf !# !!!#!$ $ $! ! # $ % ’ ’ ( ) * ! % ’ %% ’ # !

2021-06-01 约4.06千字 12页立即下载

发明了利用高点缺陷密度层的高效阻挡位错.doc 国家自然科学奖( 2016 年度) 半导体晶格失配外延方法及相关表征手段研究二、专家推荐意见三、项目简介项目属于材料科学中的半导体材料领域。该项目针对在微电子和光电子领域中重要材料SiGe和GaN的生长和表征方法进行了长期的研究，做出了国际上有影响的工作。主要科学发现如下： 1）发明了利用高点缺陷密度层的高效阻挡位错独特方法 Si的电子迁移率是空穴的2.5倍，使得CMOS中电子和空穴SiGe上生长的Si薄膜的所谓应变硅技术，可以解决此问题。所以Si基上高质量SiGe薄膜的制备至关重要。 1991年贝尔实验室改进了组分渐变方法来制备SiGe，被当时国际上认为最成功的技术。但其关键参数

2018-04-10 约7.98千字 14页立即下载