InAlNAlNGaN异质结场效应晶体管可靠性研究的开题报告.docx

InAlNAlNGaN异质结场效应晶体管可靠性研究的开题报告

1.研究背景：

第三代半导体材料氮化铟铝（InAlN）及其异质结材料氮化铝镓（AlGaN）具有极高的电子迁移率和热稳定性，被广泛应用于电力电子、高频射频器件和紫外激光器等领域。针对这些半导体材料，研究以其为基础的场效应晶体管（FET）的可靠性，对推动其工业化应用至关重要。

2.研究目的：

本研究旨在探究以InAlN/AlGaN异质结材料为基础的FET器件在长期使用过程中的可靠性问题，并研究其失效机理，为进一步提高其稳定性和可靠性提供科学依据。

3.研究内容：

（1）制备InAlN/AlGaN异质结FET晶体管，并对其进行电学特性测试；

（2）长期稳定性测试：对FET器件进行功耗和温度循环加速老化实验，并对失效样品进行失效机理分析；

（3）分析FET器件的可靠性问题，探究失效机理。

4.研究意义：

通过研究InAlN/AlGaN异质结FET器件的可靠性，可以更好地了解该材料的长期稳定性问题，同时可以为进一步提高其应用领域提供理论指导和实验依据，对于推动氮化铟铝及其异质结材料的工业化应用具有重要意义。

5.研究方法：

（1）化学气相沉积法（MOVPE）制备InAlN/AlGaN异质结晶体管；

（2）电学测试：测试FET器件的电流-电压（I-V）特性、施加源极电压下的漏电流、阈值电压和最大漏电流等参数，通过测试数据对器件进行分析；

（3）功耗和温度循环测试：运用恒流源测试系统对制备好的FET器件进行长期稳定性测试，并对失效样品进行详细的失效机理分析。

6.预期成果：

（1）制备InAlN/AlGaN异质结FET器件，获得其电学特性测试数据；

（2）通过长期稳定性测试，分析FET器件的可靠性问题和失效机理；

（3）对氮化铟铝及其异质结材料基础上的FET器件长期稳定性进行探讨和总结，对于该材料的工业化应用和未来的研究也提供了参考。

7.研究难点：

（1）纯度高、晶体质量好的InAlN/AlGaN异质结材料的制备；

（2）长时间稳定性测试和失效分析。

8.研究计划：

（1）第1-2个月：文献调研及InAlN/AlGaN异质结材料的制备；

（2）第3-4个月：制备InAlN/AlGaN异质结晶体管，并进行电学测试；

（3）第5-6个月：运用恒流源测试系统对制备好的FET器件进行功耗和温度循环测试；

（4）第7-8个月：对失效样品进行失效机理分析；

（5）第9-10个月：数据处理总结；

（6）第11-12个月：撰写论文，准备答辩。