实验411用霍尔传感器测螺线管的磁场分布.doc

PAGE  PAGE 39 实验11 用霍尔传感器测螺线管的磁场分布 年美国霍普金斯大学研究生霍尔在研究载流导体在磁场中受力性质时发现了一种电磁现象，此现象称为霍尔效应，半个多世纪以后，人们发现半导体也有霍尔效应，而且半导体霍尔效应比金属强得多。近多年来，由高电子迁移率的半导体材料制成的霍尔传感器已广泛用于磁场测量和半导体材料的研究。用于制作霍尔传感器的材料有许多种:单晶半导体材料有锗、硅；化合物半导体有锑化铟、砷化铟和砷化镓等等。在科学技术发展中，磁的应用越来越被人们重视。目前霍尔传感器典型的应用有：磁感应强度测量仪(又称特斯拉计)，霍尔位置检测器，无接点开关，霍尔转速测定仪，大电流测量仪，电功率测量仪等。在电流体中的霍尔效应也是目前在研究中的“磁流体发电”的理论基础。近年来，霍尔效应实验不断有新发现。年德国冯·克利青教授在低温和强磁场下发现了量子霍尔效应，这是近年来凝聚态物理领域最重要发现之一。目前对量子霍尔效应正在进行更深入研究，并取得了重要应用。例如用于确定电阻的自然基准，可以极为精确地测定光谱精细结构参数等。 通过本实验学会消除霍尔元件副效应的实验测量方法，用霍尔传感器测量通电螺线管内激励电流与输出霍尔电压之间关系，证明霍尔电势差与螺线管内磁感应强度成正比；了解和熟悉霍尔效应重要物理规律,证明霍尔电势差与霍尔电流成正比；用通电长直通电螺线管轴线上磁感应强度的理论计算值作为标准值来校准或测定霍尔传感器的灵敏度，熟悉霍尔传感器的特性和应用；用该霍尔传感器测量通电螺线管内的磁感应强度与螺线管轴线位置刻度之间的关系，作磁感应强度与位置刻线的关系图，学会用霍尔元件测量磁感应强度的方法。 【实验目的】 1.掌握用霍尔效应法测量磁场的原理,测量长直螺线管轴线上的磁感应强度分布。 2.学习FB400型霍尔效应法螺线管磁场测定仪的使用方法。 3.验证霍尔电势差与励磁电流(磁感应强度)及霍尔元件的工作电流成正比的关系式。 【实验原理】 图11-2 P型霍尔元件 图11-1 N型霍尔元件 霍尔效应 霍尔元件的??用如图11-1(图11-2)所示.若电流流过厚度为的半导体薄片，且磁场垂直作用于该半导体,则电子流方向由于洛伦兹力的作用而发生改变，该现象称为霍尔效应，在薄片两个横向面之间与电流，磁场垂直方向产生的电势差称为霍尔电势差. 霍尔电势差是这样产生的：当电流IH通过霍尔元件（假设为型）时，空穴有一定的漂移速度v，垂直磁场对运动电荷产生一个洛仑兹力 （11-1） 式中为运动电荷电量，洛仑兹力使电荷产生横向的偏转，由于样品有边界，所以偏转的载流子将在边界积累起来，产生一个横向电场，直到电场对载流子的作用力与磁场作用的洛仑兹力相抵消为止，即 （11-2） 这时电荷在样品中流动时不再偏转，霍尔电势差就是由这个电场建立起来的。 如果是型样品，则横向电场与前者相反，所以型样品和型样品的霍尔电势差有不同的符号，据此可以判断霍尔元件的导电类型。 设型样品的载流子浓度为，宽度为，厚度为，通过样品电流，则空穴的速度 代入（11-2）式有 （11-3） 上式两边各乘以，便得到 （11-4） 其中称为霍尔系数，在应用中一般写成 （11-5） 称为霍尔元件的灵敏度，单位为。 于是磁感应强度： （11-6） 一般要求愈大愈好。与载流子浓度成反比，半导体内载流子浓度远比金属载流子浓度小，所以都用半导体材料作为霍尔元件，与材料片厚成反比，因此霍尔元件都做得很薄，一般只有厚(甚至只有十几微米厚)。 由式（11-5）可以看出，知道了霍尔片的灵敏度，只要分别测出霍尔电流及霍尔电势差就可以算出磁场的大小，这就是霍尔效应测量磁场的原理。 因此，根据霍尔电流和磁场的方向，实验测出霍尔电压的正负，由此确定霍尔系数的正负,即判定载流子的正负，是研究半导体材料的重要方法。对于型半导体的霍尔元件，则导电载流子为电子，霍尔系数和灵敏度为负；反之，对于型半导体的霍尔元件,则导电载流子为空穴，霍尔系数和灵敏度为正。 2．霍尔元件的副效应及消除副效应的方法 一般霍尔元件有四根引线，两根为输入霍尔元件电流的“电流输入端”，接在可调的电源回路内；另两根为霍尔元件的“霍尔电压输出端”，接到数字电压表上。虽