GB/T 5201-1994带电粒子半导体探测器测试方法.pdf

GB/T 5201-2012带电粒子半导体探测器测量方法.pdf ICS27.120 F88 中华人民共和国国家标准 / — GBT5201 2012 代替 / —

2021-06-01 约5.75千字 20页立即下载

4半导体探测器_08.ppt * 中国科大汪晓莲 * 三、像素探测器（Pixel Detector） P ixel是由许多精心设计非常小的PN 结组成的, 它能够非常快地提供两维信息。每一个小室(cell) 都连接它自己的读出电子学。像素探测器具有非常好的位置分辨率, 在每单位面积上需要大量的电子学路数。像素探测器的像素有的采用简单的PN 结型二极管和光电二极管, 有的采用PIN光敏二极管和耗尽型场效应晶体管, 还有的采用小型硅漂移室单元和CMOS 器件单元等, 它们各自有不同的优缺点, 各有不同的用途。 * 中国科大汪晓莲 * Pixel Detector 探测器每个像素和电子学集成在相同的

2016-08-14 约字 86页立即下载

半导体命探测器.ppt 第五章 半导体探测器 §5-1 半导体探测器基础 §5-2 硅微条探测器的结构和原理 §5-3 半导体探测器的发展 §5-4 半导体探测器的应用 §5-1 半导体探测器基础一、半导体的基本知识 1. 导体、半导体、绝缘体的能带物体导电是物体内电子在外电场作用下定向运动的结果。由于电场力对电子的作用，使电子的运动速度和能量发生变化。从能带论来看，电子能量变化就是电子从一个能级跃迁到另一个能级上。满带：能级已被电子所占满，一般外电场作用时，其电子不形成电流，对导电没有贡献，亦称价带。导带：能带被电子部分占满，在外电场作用下，电子

2018-12-23 约7.93千字 35页立即下载

半导体探测器研究.ppt * * * * * * 结合后，由于热运动，浓度大的向浓度小的扩散。在PN结区，电子空穴很少，剩下的杂质正负离子形成空间电荷区，其内建电场方向由N区指向P区，阻止电子、空穴继续扩散，并造成P区中的电子和N区中的空穴，即少数载流子的反向漂移运动。当扩散运动和反向漂移运动达到平衡时，P区或N区的电子空穴浓度就不再变化。这个由杂质离子组成的空间电荷区，即PN结区，杂质原子均已电离，而导电的电子和空穴很少，亦称耗尽区，阻挡层，势垒区。 * * * * * * * * * * * * * （1）半导体探测器得到的gamma谱与闪烁谱仪相比，发生了质的变化。能量分辨率可用FWHM表示： F

2017-06-14 约8.48千字 62页立即下载

半导体探测器.ppt * * * * * * 结合后，由于热运动，浓度大的向浓度小的扩散。在PN结区，电子空穴很少，剩下的杂质正负离子形成空间电荷区，其内建电场方向由N区指向P区，阻止电子、空穴继续扩散，并造成P区中的电子和N区中的空穴，即少数载流子的反向漂移运动。当扩散运动和反向漂移运动达到平衡时，P区或N区的电子空穴浓度就不再变化。这个由杂质离子组成的空间电荷区，即PN结区，杂质原子均已电离，而导电的电子和空穴很少，亦称耗尽区，阻挡层，势垒区。 * * * * * * * * * * * * * （1）半导体探测器得到的gamma谱与闪烁谱仪相比，发生了质的变化。能量分辨率可用FWHM表示： F

2017-05-23 约8.48千字 62页立即下载

GB/T 7167-2008锗γ射线探测器测试方法.pdf ICS27．120 F88 a亘中华人民共和国国家标准 7167—2008 GB／T 代替GB／锗丫射线探测器测试方

2017-08-30 约2.1万字 16页立即下载

一种基于半导体材料的粒子像素探测器.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号CN117727765A (43)申请公布日2024.03.19 (21)申请号202311748666.0 (22)申请日2023.12.18 (71)申请人中国工程物理研究院电子工程研究

2024-03-18 约1.11万字 12页立即下载

用于半导体探测器的读出电路和方法以及半导体探测系统.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113376680 A (43)申请公布日 2021.09.10 (21)申请号 202010159557.5 (22)申请日 2020.03.09 (71)申请人清华大学地址 10

2023-06-20 约1.84万字 17页立即下载

GB/T 20726-2006半导体探测器X射线能谱仪通则.pdf !# !!#$#!%% $ ! # $ % ’ ’ ( ) * ! ! ! % ’ ’#!’( ’##(!#( )(’’##’ !#$% )’ ()*+,- !*+,-./0*,12+0456541,57*67-0*0- :5+0-+5;0)-1 +04,-7/0,0-+=5, 3

2021-06-03 约5.03千字 12页立即下载

2015第11课第8章半导体探测器课件分解.ppt (3) 响应时间影响探测器的响应时间的因素有三个：耗尽层中光生载流子的渡越时间耗尽层外光生载流子的扩散时间光电探测器及有关电路的寄生电容引起的RC时间常数。耗尽层中载流子的渡越时间为： W和vd分别为耗尽层厚度和载流子的漂移速度。 td在决定探测器的响应速度中起主导作用。例如光电二极管中，耗尽层厚10?m，电场强度约2?104V/cm时，电子和空穴的极限速度分别可达8.6?106cm/s和4.4?106cm/s。因此，响应时间的极限为0.1ns. 扩散过程比漂移过程

2019-04-06 约5.4千字 39页立即下载

集成半导体量子点闪烁探测器5 oktyabrskyo14.pptx IntegratedSemiconductorQuantumDotScintillationDetector: UltimatelimitforspeedandefficiencyScint2015,June11,2015WWW.SUNYCNSE.COMSergeOktyabrskya,MichaelYakimova,VadimTokranova,andPavelMuratbaSUNYCollegeofNanoscaleScienceandEngineering,AlbanyNYbFermiNationalAcceleratorLaboratory,Batavia,IL1 WhyQDScint

2024-08-06 约6.01千字 13页立即下载

第八章 半导体探测器.ppt 例题：用金硅面垒探测器（设硅材料的电阻率为2000Ω·cm）测210Po的α粒子的能谱（Eα＝5.3MeV），如果开始时外加偏压为零，这时有脉冲信号吗？然后逐渐增高偏压，这时观察到α粒子的脉冲幅度有何变化？当偏压足够高以后，再增加偏压时α脉冲幅度还变化吗？为什么？能量分辨率有无变化？ 探测器性能小结一：探测器的基本性能 探测器性能小结二：探测器的效率 探测器性能小结三：探测器的能量分辨率思考题 1、元素、核素、同位素等的定义有何差别？ 2、放射性衰变服从指数规律，说明衰变常数?的物理意义。还有哪些参数来描述衰变的快慢，它们的关系是什么？ 3、α衰变与β衰变的衰变能

2017-11-03 约7.47千字 35页立即下载

低维半导体探测器的结构特性研究.doc PAGE PAGEI 题目低维半导体探测器的结构特性研究 PAGE PAGE18 摘要从二十一世纪起，在纳米光电器件领域中，低维第三代半导体便因为其独特的物理性质和化学特性，展现出了极为广阔的应用前景。作为第三代半导体材料的重要组成部分，AlN由于带隙大，导热系数高和表面波速高而成为光电紫外线和深紫外线组件的首选材料。但是，目前，低维AlN纳米材料存在许多问题，包括：对纳米材料的尺寸和结构的控制不精确，有效产量低等等。这些难题一直制约着AlN紫外探测器的发展。本论文针对这些问题，采用了SentaurusTCAD软件模拟仿真以及等离子辅助化学气相沉积技术,

2024-09-10 约1.87万字 23页立即下载

2015第11课第8章 半导体探测器.ppt (3) 响应时间影响探测器的响应时间的因素有三个：耗尽层中光生载流子的渡越时间耗尽层外光生载流子的扩散时间光电探测器及有关电路的寄生电容引起的RC时间常数。耗尽层中载流子的渡越时间为： W和vd分别为耗尽层厚度和载流子的漂移速度。 td在决定探测器的响应速度中起主导作用。例如光电二极管中，耗尽层厚10?m，电场强度约2?104V/cm时，电子和空穴的极限速度分别可达8.6?106cm/s和4.4?106cm/s。因此，响应时间的极限为0.1ns. 扩散过程比漂移过程

2016-10-05 约5.4千字 39页立即下载

2024-06-27 约3.12千字 6页立即下载