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现代半导体器件物理 Modern Semiconductor Device Physics 现代半导体器件物理 谢 生 天津大学电子信息工程学院 电子科学与技术系 xie_sheng06@ 第26教学楼D区234室 2013年9月15日Sunday 现代半导体器件物理 参考书目： 施敏. 现代半导体器件物理, 北京：科学出版社, 2001. 施敏, 伍国珏. 半导体器件物理, 西安：西安交通大学出 版社, 2008. 施敏. 半导体器件-物理与工艺(2rd). 苏州大学出版社 • D H Neamen, 半导体物理与器件(3rd Edition), 北京：电 子工业出版社, 2010. • 谢孟贤, 刘诺. 化合物半导体材料与器件, 成都：电子科 技大学出版社,2000. • 刘刚等.半导体器件- 电子、敏感、光子、微波器件，电 子工业出版社, 2000 2013年9月15日Sunday 现代半导体器件物理 Contents Part 1 绪论 半导体物理基础 Part 2 双极晶体管 Part 3 MOSFET及相关器件 Part 4 化合物半导体器件 Part 5 半导体光电子器件 Part 6 微波与量子器件 2013年9月15日Sunday 现代半导体器件物理 Part 1 绪论 半导体物理基础 2013年9月15日Sunday 现代半导体器件物理 绪论 2013年9月15日Sunday 现代半导体器件物理 建筑结构图 ?? 芯片内部结构图 2013年9月15日Sunday 现代半导体器件物理 微电子产业布局图 芯片电学性能测试 Wafer Acceptance Test 2013年9月15日Sunday 现代半导体器件物理 一、半导体器件与电路发展简介 First Ge-based bipolar transistor invented 1947, Bardeen, Brattain, Shockley, Bell Labs. Nobel pr