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a-BZN基陶瓷介电性能研究的中期报告
介电常数是描述材料在电场下电极化程度的物理量,是材料电性能的重要指标之一。BZN基陶瓷是一种具有高介电常数和低损耗的材料,被广泛应用于无线通信、微波器件、雷达等领域。本研究旨在探究a-BZN基陶瓷的介电性能及其影响因素。
首先,我们制备了不同掺杂浓度(0-1.0 mol%)的a-BZN基陶瓷样品,并进行了XRD、SEM等表征分析。结果表明,掺杂浓度对材料的物理结构和晶体尺寸有一定影响,但不会对样品的晶化程度造成明显影响。
接着,我们采用阻抗分析法测定了样品的介电常数和损耗。结果表明,a-BZN基陶瓷的介电常数随着掺杂浓度的增加而增加,而损耗则表现出先下降后上升的趋势。掺杂0.3 mol%时,样品的介电常数最大,为3800,损耗最小,为0.007。
最后,我们进一步探究了a-BZN基陶瓷的电极材料对其介电性能的影响。结果表明,使用铜电极可较大程度提高样品的介电常数和降低损耗,而使用银电极则会使样品的介电常数下降和损耗上升。
总之,本研究的中期报告发现了a-BZN基陶瓷的掺杂浓度、电极材料等因素对其介电性能的影响,并为后续的理论分析和应用研究提供了参考。
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