电子科技大学集成电路实验报告——模拟集成电路.docx
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CMOS 模拟集成电路设计及 HSPICE 使用
实验学时： 4 学时
实验一 CMOS 工艺参数测量
一、实验目的：
学习和掌握 EDA 仿真软件 Hspice；了解 CMOS 工艺技术及元器件模型，掌握 MOSFET 工作原理及其电压电流特征；通过仿真和计算，获得 CMOS 中 NMOS 和
PMOS 的工艺参数k , k , 入 , 入 , V , V ，为后续实验作准备。
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二、实验内容：
1) 通过 Hspice 仿真，观察NMOS 和 PMOS 管子的 I-V 特性曲线；
2)对于给定长宽的 MOS
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