GB/T 13539.4-2016低压熔断器　第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求.pdf

ICS29.120.50 K31 中华人 民共和 国国家标准 / — / : GBT13539.4 2016IEC60269-42012 代替 / — GBT13539.4 2009 低压熔断器 : 第 部分 半导体设备保护用熔断体 4 的补充要求 — Low-voltaefuses g : Part4Su lementarreuirementsforfuse-linksforthe rotectionof pp y q p semiconductordevices ( : , ) IEC60269-42012IDT 2016-04-25发布 2016-11-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发 布 中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 / — / : GBT13539.4 2016IEC60269-42012 目 次 前言 ………………………………………………………………………………………………………… Ⅰ 1 总则 ……………………………………………………………………………………………………… 1 2 术语和定义 ……………………………………………………………………………………………… 2 3 正常工作条件 …………………………………………………………………………………………… 2 4 分类 ……………………………………………………………………………………………………… 4 5 熔断器特性 ……………………………………………………………………………………………… 4 6 标志 ……………………………………………………………………………………………………… 7 7 设计的标准条件 ………………………………………………………………………………………… 8 8 试验 ……………………………………………………………………………………………………… 8 ( ) …………………………………………… 附录 资料性附录 熔断体和半导体设备的配合导则 AA 18 ( ) ( ) 附录 规范性附录 制造厂应在产品使用说明书 样本 中列出的半导体设备保护用熔断体 BB 的资料 …………………………………………………