GB/T 13539.4-2009低压熔断器　第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求.pdf

犐犆犛２９．１２０．５０ 犓３１ 中华人 民共和 国国家 标准 ／ — ／ ： 犌犅犜１３５３９．４ ２００９犐犈犆６０２６９４２００６ 代替 ／ — 、 ／ — ＧＢＴ１３５３９．４ ２００５ＧＢＴ１３５３９．７ ２００５ 低压熔断器 第 部分： ４ 　 半导体设备保护用熔断体的补充要求 — ： 犔狅狑狏狅犾狋犪犲犳狌狊犲狊 犘犪狉狋４犛狌 犾犲犿犲狀狋犪狉 犵 狆狆 狔 狉犲狌犻狉犲犿犲狀狋狊犳狅狉犳狌狊犲犾犻狀犽狊犳狅狉狋犺犲 狉狅狋犲犮狋犻狅狀狅犳狊犲犿犻犮狅狀犱狌犮狋狅狉犱犲狏犻犮犲狊 狇 狆 （ ： ， ） ＩＥＣ６０２６９４２００６ＩＤＴ ２００９０４２１发布 ２００９１１０１实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发 布 中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 ／ — ／ ： 犌犅犜１３５３９．４ ２００９犐犈犆６０２６９４２００６ 目 次 　　 前言 Ⅰ １ 总则 １ 　 ２ 术语和定义 ２ 　 ３ 正常工作条件 ２ 　 ４ 分类 ３ 　 ５ 熔断器特性 ３ 　 ６ 标志 ５ 　 ７ 设计的标准条件 ６ 　 ８ 试验 ６ 　 附录 （资料性附录） 熔断体和半导体设备的配合导则 Ａ