不同结构光学电压互感器抗电场干扰的探讨-电力系统保护与控制.PDF

第32卷 　第11期 继电器 Vol. 32 No. 11 　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　　 20 0 4 年6 月 1 日 RELAY Jun. 1 , 　2004 13 不同结构光学电压互感器抗电场干扰的探讨 程云国 , 刘会金 (武汉大学电气工程学院 ,湖北 武汉 430072) ( ) 摘要 : 外电场对光学电压互感器 Optical Voltage Transformer ,OVT 的干扰与OVT 的结构有关系 ,通光方向和电 压方向不同 ,外电场对 OVT 的影响也不同。该文详细分析了外电场对OVT 的横向调制和纵向调制两种基本 结构的影响。针对这两种结构抗电场干扰的特点 ,兼顾实际高电压测量中的信号处理 ,提出了一种 OVT 传感 头结构的改进措施。 关键词 : 光学电压互感器 ; 　横向和纵向调制 ; 　电场 ( ) 中图分类号: TM451 ; TM43 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 2004 入射光波波长等因数有关; l 是光波通过晶体的长 0 　引言 度。利用偏光干涉法可以间接地测量这个位相差 : OVT 较传统的互感器有无可比拟的优点 ,它绝 δ π 2 + / 2 出射光强 I = I0 sin ( ) , I0 是入射光强。利用 缘强度高、抗干扰能力强、测量频带宽、体积小、重量 2 光电变换检测光强的变化可求得被测电压的大小。 轻、无铁磁谐振和铁心饱和 ,越来越引起人们的重 视 , 国内外对此都有研究 ,并取得了一定的进展 , 目 2 　外电场对横向调制和纵向调制的影响 前已有 OVT 挂网试运行[1 ] 。OVT 是通过传感头敏 感电场测量电压的 ,传感头是 OVT 的核心 ,其稳定 光学电压互感器 OVT 多采用BGO 晶体 ,本文也 性和抗干扰性是 OVT 技术的关键。本文从结构方 以BGO 为例分析外电场的影响。BGO 晶体理论上 面分析了传感头抗电场干扰的能力 ,并介绍了一种 既无自然双折射又无旋光性 , 无外加电场作用时 改进的结构 ,它较纵向调制信号处理简单 ,较横向调 BGO 晶体的光率体方程为: 2 2 2 制有明显的抗外电场干扰能力。 x 1 + x 2 + x 3