GBT-LED外延芯片用砷化镓衬底编制说明.doc

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国家标准《LED外延芯片用砷化镓衬底》

编制说明（审定稿）

一、工作简况

1、立项目的与意义

砷化镓是一种重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，是LED外延芯片的关键衬底材料，在微电子、光电子等领域有非常明显的优势。我国较早就开展了LED外延芯片用砷化镓衬底材料的研究工作，在砷化镓衬底材料生长和性质方面的研究取得了很多成果，目前已经形成成熟的产品体系熟。

2014年制定了国家标准GB/T30856-2014《LED外延芯片用砷化镓衬底》，随着生产技术水平的提高，已经不能满足现有产品的需求，有必要对技术参数加以规范，进行修订、增加相关指标。形成新的统一标准后可作为砷化镓单晶行业今后组织生产、销售和接受质量监督的依据，以利于LED外延芯片用砷化镓衬底材料更好发展。

2、任务来源

根据《国家标准化管理委员会关于下达(2023年)推荐性国家标准计划（修订）的通知》（国标委发[2023]58号，由大庆溢泰半导体材料有限公司（以下简称溢泰）负责修订GB/T30856-2014《LED外延芯片用砷化镓衬底》，计划编号T-469，后由于编制单位内部进行业务调整，负责该标准起早工作的人员、仪器设备和实验经费均有南京集溢半导体科技有限公司提供或者承担，为此以后该标准的起草单位变更为南京集溢半导体科技有限公司。

3、承担单位概况

本项目承担单位南京集溢半导体科技有限公司，成立于2022年8月，2023年1月完成A轮融资，2024年全资收购大庆溢泰半导体材料有限公司，公司主创团队多年从事Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料研制和生产，且重视标准化工作，是全国半导体器件标准化技术委员会秘书处依托单位，多年来一直在标准化领域开展了大量国内和国际标准化工作。

大庆溢泰半导体材料有限公司是南京集溢半导体科技有限公司的全资子公司，从事砷化镓材料制备工作已有6余年的历史，公司经营的范围包括半导体新材料的研发、生产、销售、技术服务等。公司运营、技术团队在半导体衬底材料领域有30多年从业经验，具有很强的技术开发能力和产业化生产，先后承担了多项国家，省里，市里的重大专项、重大预研、国产化等多种任务，了解和熟悉国内砷化镓材料的生产、使用和研制工作动态及技术水平。公司现已成为二代半导体衬底材料，全国TOP3供应商。

4、编制过程

大庆溢泰半导体材料有限公司于2023年1月成立编制组，负责本标准的调研和编写工作，后由于编制单位内部进行业务调整，负责该标准起早工作的人员、仪器设备和实验经费均有南京集溢半导体科技有限公司提供或者承担，为此以后该标准的起草单位变更为南京集溢半导体科技有限公司，目前项目的编制工作归南京集溢半导体科技有限公司。具体工作如下：

2023年1月至10月之间，编制组根据任务落实会确定的起草原则，对国内外生产LED外延芯片用砷化镓衬底的相关企业进行调研和统计，并调研了下游客户的质量要求，按照产品标准的编制原则、框架要求和国家的法律法规，同时结合企业的一些技术指标和检验数据，于2023年12月起草了本标准的初稿，初稿已经于2024年3月在南京半导体材料标准工作会议上进行初步讨论；

2024年3月至5月之间，根据南京半导体材料标准会议上的讨论内容，确定增加标准编制的原则、标准中的标准字样改为文件、表格均需要增加标题、全文统称为砷化镓衬底、恢复Warp相关数据、洁净度需要根据最新标准定义、重新定义组批等相关工作，行形成第二次草案，计划2024年6月进行第二次的讨论、征求意见工作；

2024年6月至9月之间，根据武汉半导体材料标准会议上的讨论内容，确定增加LD外延芯片用砷化镓衬底可以参照执行、Φ150mm和Φ200mm单独成一个表格、附录A和附录B删除等相关内容，并发送相关单位进行征集意见，北京大学广东东莞光电研究院丁老师提出删除LD外延芯片用砷化镓衬底可参照执行，并针对标准的细节进行优化，中国科学院半导体研究所郑红军对细节内容进行优化，云南临沧鑫圆锗业股份有限公司普世坤对检验温度进行优化，并对标准的标准执行进行细节把控，全磊光电股份有限公司张双翔对刻字提出意见，目前大部分产品不刻字，可以开会时讨论。

二、标准编制原则和主要内容的确定依据

1、编制原则

本标准起草单位自接受起草任务后，成立了标准编制组负责收集生产统计、检验数据、市场需求及客户要求等信息，初步确定了《LED外延芯片用砷化镓衬底》标准起草所遵循的基本原则和编制依据：

按照GB/T1.1产品标准编写示例的要求进行格式和结构编写；

根据国内LED外延芯片用砷化镓衬底生产企业的具体情况，力求做到标准的合理性和实用性；

根据技术发展水平及测试数据确定技术取值范围；

查阅相关标准和国内外客户的相关技术要求；

根据国内企业生产现状及技术发展的趋势。

标准主要内容和确定依据