三代树状碳硅烷液晶研究-上海有机化学研究所.PDF
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2003 年第 61 卷 化 学 学 报 Vol. 61 , 2003
第 4 期 , 619~624 ACTA CHIMICA SINICA No. 4 , 619 ~624
三代树状碳硅烷液晶研究 端基含丁氧基偶氮苯介晶基元
, a a b c c c
张其震 殷晓颖 王大庆 李 光 季怡萍 赵晓光
( a 山东大学化学化工学院 济南 250100)
( b 山东师范大学测试中心 济南 250014)
( c 中国科学院长春应用化学研究所 长春 130022)
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摘要 用发散法合成周边含丁氧基偶氮苯介晶基元 M5 端基新的三代树状碳硅烷 D3 液晶 ,并用元素分析、核磁共振、激
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光解吸电离飞行时间质谱 MALDITOFMS 、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热 DSC 和广角 X 射线衍射 WAXD 表征 ,
D3 为向列相与 M5 相同 ,树状物相态由介晶基元相态决定 ,D3 相行为 : K79N126I116N , D3 熔点比 M5 降低 33 ℃, D3 清亮
点比 M5 增加 2 ℃, D3 液晶态温区比 M5 加宽 35 ℃.
关键词 向列相液晶 ,三代树状化合物 ,4丁氧基偶氮苯碳硅烷
Study on a Carbosilane Liquid Crystalline Dendrimer of the Third Generation
Containing 4Butoxyazobenzene Mesogenic Groups in Its Periphery
ZHANG, QiZhen , a YIN , XiaoYing a WANG, DaQingb LI , Guangc
J I , YiPingc ZHAO , XiaoGuangc
( a )
School of Chemistry and Chemical Engineering , Shandong University , Jinan 250100
( b Ana
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