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高速GaAs基VCSEL辐射效应及机理的深度剖析与前沿探索(1).docx

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高速GaAs基VCSEL辐射效应及机理的深度剖析与前沿探索

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，高速光通信、光互连以及3D传感等领域对高速、高效的光发射器件提出了越来越高的要求。高速GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）作为一种重要的光电器件，因其独特的结构和优异的性能，在众多领域展现出了巨大的应用潜力。

在光通信领域，随着数据流量的爆发式增长，对高速、大容量的数据传输需求日益迫切。传统的边发射激光器在集成度和调制速率等方面逐渐难以满足需求，而高速GaAs基VCSEL具有高调制带宽、低阈值电流、易于二维集成等优点，能够实现高速、低功耗的数据传输，成为短

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