模拟电子技术基础第四版童诗白华成英主编2章-基本放.ppt

模电课件第四章(模拟电子技术基础第四版童诗白华成英).ppt 4.4 集成电路运算放大器中的电流源电流源概述集成电路电流源二、微电流源三、比例式电流源四、多路电流源第四章集成运算放大电路集成电路: 将整个电路的各个元件做在同一个半导体基片上。集成电路的优点：工作稳定、使用方便、体积小、重量轻、功耗小。集成电路的分类：模拟集成电路、数字集成电路；小、中、大、超大规模集成电路； ? ? 4.1 集成运放的内部结构及特点集成电路内部结构的特点： 1. 电路元件制作在一个芯片上，元件参数偏差方向一致，温度均一性好。 2. 电阻元件由硅半导体构成，范围在几十到20千欧，精度低。高阻值电阻用三极管有源元件代替或外接。

2018-07-06 约2.84千字 19页立即下载

模拟电子技术基础习题解答(第四版童诗白华成英)第一部分.doc 第一部分 模拟电子技术基础 第四版 清华大学电子学教研组编 童诗白华成英主编 自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( × ) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其大的特点。( √ )

2019-03-21 约2.8万字 65页立即下载

模拟电子技术基础(第四版童诗白华成英)第一部分技巧.doc 第一部分 模拟电子技术基础 第四版 清华大学电子学教研组编 童诗白华成英主编 自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( × ) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其大的特点。( √ )

2017-04-19 约2.8万字 65页立即下载

模拟电子技术基础(第四版)课后习题答案 华成英童诗白主编 清华大学电子学教研组编写.pdf 更多教材下载: 第1 章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“ ×”和“ √”表示判断结果填入空内。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子

2017-09-15 约19.64万字 114页立即下载

模拟电子技术基础(第四版)第五章童诗白主编资料.ppt 三、高频电压放大倍数考虑并联在极间电容的影响，其等效电路：图 5.4.4高频等效电路 b c e + Rb ~ ? + + + Rc Rs 图 5.4.4　高频等效电路的简化(a) 由于输出回路时间常数远小于输入回路时间常数，故可忽略输出回路的结电容。用戴维南定理简化图 5.4.4(b) — C ?与 R ? 构成 RC 低通电路。 c e + ~ ? + + Rc 高频时间常数：上限(-3 dB)频率为：四、波特图对频率从0到∞的电压放大倍数表达式为的对数幅频特性和相频特性高频段最大附加相移为-90度 1. 根据电路参数计算、fL

2016-11-07 约5.15千字 58页立即下载

《模拟电子技术基础》(第四版)课后习题答案【童诗白,华成英-高等教育出版社】.docx 第一章半导体基础知识自测题一、（1）√（2）×（3）√（4）×（5）√（6）× 二、（1）A（2）C（3）C（4）B（5）AC三、UO1≈1.3VUO2＝0UO3≈－1.3VUO4≈2VUO5≈2.3VUO6≈－2V四、UO1＝6VUO2＝5V五、根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈6.67mA，UCE＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。六、1、BI =VBB ?UBERb=26μAIC =EIB =2.6mAUCE =VCC ?ICRC =2VUO＝UCE＝2V。2、临界饱和时UCE

2017-10-13 约2.32万字 46页立即下载

模拟电子技术基础第四版课后答案童诗白.pdf 院学子电微与理物学大山答解题习与题测自

2019-01-16 约54.36万字 139页立即下载

模拟电子技术基础第四版课后答案-童诗白.pdf 模拟电子技术根底 第四版 清华大学电子学教研组编 童诗白华成英主编 自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体件3 第2章根本放大

2025-01-03 约10.69万字 80页立即下载

2018-12-31 约5.4万字 145页立即下载

《模拟电子技术基础》课后答案解析(童诗白,第四版)第1章.pdf 第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用 “√”和 “×”表示判断结果填入空内。（1 ）在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型半导体。（）（2 ）因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）（3 ）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）（4 ）处于放大状态的晶体

2017-08-23 约1.41万字 16页立即下载

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第二章.doc 第2章基本放大电路自测题一括号内用“√”和“×”表下列说法是否正确。 1.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。(×) 2.可以说任何放大电路都有功率放大作用。√) 3.放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。×) 4.电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。×) 5.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。√) 6.由于放大的对象是变化量，所以当输入直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。×) 7.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。×) 二试分析图T2.2各电路是否能放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。

2017-05-20 约5.22千字 15页立即下载

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第八章.doc 第8章波形的发生和信号的转换自测题一、改错：改正图T8.1所示各电路中的错误，使电路可能产生正弦波振荡。要求不能改变放大电路的基本接法（共射、共基、共集）。 (a) (b) 图T8.1 解：(a)加集电极电阻Rc及放大电路输入端的耦合电容。 (b)变压器副边与放大电路之间加耦合电容，改同名端。二、试将图T8.2所示电路合理连线，组成RC桥式正弦波振荡电路。图T8.2 解：④、⑤与⑨相连，③与⑧ 相连，①与⑥ 相连，②与⑦相连。如解图T8.2所示。解图T8.2 三、已知图T8.3(a)所示方框

2019-01-01 约8.49千字 21页立即下载

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第十章.doc 第10章直流电源自测题一.判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入括号内。 (1)直流电源是一种将正弦信号转换为直流信号的波形变换电路。( × ) (2)直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换为直流能量。( √ ) (3)在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电流是半波整流电路输出电流的2倍。( √ )；因此，它们的整流管的平均电流比值为2:1。( × ) (4)若为电源变压器副边电压的有效值，则半波整流电容滤波电路和全波整流电容滤波电路在空载时的输出电压均为。( √ ) (5)当输入电压UI和负载电流IL变化时，稳压电路的输出电压是绝对不变的

2017-04-01 约5.59千字 14页立即下载

模拟电子技术基础第四版课后答案解析童诗白.pdf 院学子电微与理物学大山答解题习与题测自

2018-11-03 约54.36万字 139页立即下载

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案(修订版).doc 模拟电子技术基础 （第四版课后答案 1.1选择合适答案填入空内。 (l在本征半导体中加入A )元素可形成N 型半导体，加入 C )元素可形成P 型半导体。 A.五价四价 C三价 (2当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A) 。 A增大 B.不变 C减小 (3工作在放大区的某三极管，如果当IB 从12 uA 增大到22 uA 时，IC 从lmA 变为2mA ，那么它的β约为 C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流ID从2

2017-10-02 约3.69万字 115页立即下载

模拟电子技术基础 第四版 童诗白 华成英主编2章-基本放.ppt

模拟电子技术基础第四版童诗白华成英主编2章-基本放.ppt