数字电子技术第二章逻辑门电路1.ppt

第二章 逻辑门电路;教学基本要求： 1、了解半导体器件的开关特性。 2、熟练掌握基本逻辑门（与、或、与非、或非、异或门）、三态门、OD门（OC门）和传输门的逻辑功能。 3、学会门电路逻辑功能分析方法。 4、掌握逻辑门的主要参数及在应用中的接口问题。;1 、逻辑门:实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。; 第一节 二极管．三极管的开关特性; 可见，二极管在电路中表现为一个受外加电压vi控制的开关。当外加电压vi为一脉冲信号时，二极管将随着脉冲电压的变化在“开”态与“关”态之间转换。这个转换过程就是二极管开关的动态特性。 ;（二）二极管开关的动态特性;（三）产生反向恢复过程的原因： 反向恢复时间tre就是存储电荷消散所需要的时间。; 二．三极管的开关特性; 此??，若调节Rb↓，则IB↑，IC↑，VCE↓，工作点沿着负载线由A点→B点→C点→D点向上移动。在此期间，三极管工作在放大区， 其特点为IC＝βIB。 三极管工作在放大状态的条件为：发射结正偏，集电结反偏 ; 若再减小Rb，IB会继续增加，但IC已接近于最大值VCC/RC，不会再增加，三极管进入饱和状态。饱和时的VCE电压称为饱和压降VCES，其典型值为：VCES≈0.3V。 三极管工作在饱和状态的电流条件为：IB＞ IBS 电压条件为：集电结和发射结均正偏 ;;解： 根据饱和条件IB＞IBS解题。;（3）将RC改为6.8kW，再将Rb改为60kW，重复以上计算。;（二）三极管的动态特性;其中： td和tr之和称为开通时间ton， 即ton= td+tr； 是建立基区电荷时间 ;提高三极管开关速度的措施？;三. MOS开关及其等效电路;MOS管相当于一个由vGS控制的 无触点开关。;一．正与门电路 ;正负逻辑的概念： 用H和L分别表示高、低电平 规定 高电平为逻辑1，低电平为逻辑0，就是正逻辑； 高电平为逻辑0，低电平为逻辑1为负逻辑。 ; 二．或门电路;三、三极管非门电路