半导体场效应管.pptx

2.3 半导体场效应管; 场效应半导体三极管是仅由一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。 ;2.3.1 结型场效应管; (1) 栅源电压对沟道的控制作用（uDS =0）; (2) 漏源电压对沟道的控制作用;(a) 漏极输出特性曲线 (b) 转移特性曲线 N沟道结型场效应管的特性曲线 动画（2-6） 动画（2-7）; 结型场效应管的缺点：;;一个是漏极D，一个是源极S。在源极和漏极之间的 绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型半导体称为 衬底，用符号B表示。; 当栅极加有电压时，若 0＜uGS＜UGS(th)时，通过栅极和 衬底间的电容作用，将靠近栅极 下方的P型半导体中的空穴向下 方排斥，出现了一薄层负离子的 耗尽层。耗尽层中的少子将向表 层运动，但数量有限，不足以形 成沟道，将漏极和源极沟通，所以不可能形成漏极电流iD。; uGS对漏极电流的控制关系可用 iD=f(uGS)?uDS=const 这一曲线描述，称为转移特性曲线; uGS对漏极电流的控制特性——转移特性曲线 ;②漏源电压uDS对漏极电流iD的控制作用; 漏极输出特性曲线; 2.N沟道耗尽型MOSFET;3.特性曲线;2.3.3 场效应管的主要参数和电路模型; ④ 输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109～1015Ω。;2.电路模型;附录 场效应三极管的型号;几种常用的场效应三极管的主要参数见表02.02。;半导体三极管图片;半导体三极管图片;;;3、三极管的主要参数及电路模型 小信号前提→结构→物理模型的方法→ 混合π型微变等效电路 ↓简化 低频简化π型微变等效电路;上节课内容提要;2、绝缘栅场效应管 分类： N沟道、P沟道；增强型、耗尽型 uGS控制沟道电阻， uDS形成ID。 N沟道增强型器件;3、场效应管的主要参数和电路模型