ch4半导体二极管、三极管和场效应管.ppt

转移特性 O uGS ID/mA IDSS UP 2) 输出特性曲线 　　当栅源 之间的电压 UGS 不变时，漏极电流 iD 与漏源之间电压 uDS 的关系，即 结型场效应管转移特性曲线的近似公式： ≤ ≤ iD/mA uDS / V O UGS = 0V -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 预夹断轨迹 恒流区 可变电阻区 漏极特性也有三个区：可变电阻区、恒流区和夹断区。 夹断区 UDS iD VDD VGG D S G V ? + V ? + uGS + ? mA 击穿区 ＊　结型P 沟道的特性曲线 S G D 转移特性曲线 iD UGS（Off） IDSS O uGS 输出特性曲线 iD UGS= 0V + uDS + + o 栅源加正偏电压，(PN结反偏)漏源加反偏电压。 增强型 绝缘 栅型 N 沟道 耗尽型 结型 P 沟道 耗尽型 结型 N 沟道 输出特性曲线 转移特性曲线 符 号 种 类 S G D S G D iD UGS= 0V + uDS + + o S G D B uGS iD O UT 　各类场效应管的符号和特性曲线 + UGS = UT uDS iD + + + O iD UGS= 0V - - - uDS O uGS iD UP IDSS O uGS iD /mA UP IDSS O 4.3 双极型晶体管 下一页 前一页 第 1-* 页 退出本章 例3：测得工作在放大电路中几个晶体管三个电极的电位U1、U2、U3分别为： （1）U1=3.5V、 U2=2.8V、　 U3=12V （2）U1=3V、　 U2=2.8V、　 U3=12V （3）U1=6V、　 U2=11.3V、　 U3=12V （4）U1=6V、　 U2=11.8V、　 U3=12V 判断它们是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？并确定e、b、c。 原则：先求UBE，若等于0.6-0.7V，为硅管；若等于 0.2-0.3V，为锗管。　发射结正偏，集电结反偏。 　　　 NPN管　UBE＞0，　 UBC＜0，即UC ＞ UB ＞ UE 。 　　　 PNP管　UBE＜0，　 UBC0，即UC ＜ UB ＜ UE 。 解： 4.3 双极型晶体管 下一页 前一页 第 1-* 页 退出本章 （1）U1=3.5V、U2=2.8V、　U3=12V （2）U1=3V、　U2=2.8V、　U3=12V （3）U1=6V、　U2=11.3V、　U3=12V （4）U1=6V、　U2=11.8V、　U3=12V 判断它们是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？并确定e、b、c。 　　（1）U1 b、U2 e、U3 c NPN 硅 （2）U1 b、U2 e、U3 c NPN 锗 （3）U1 c、U2 b、U3 e PNP 硅 （4）U1 c、U2 b、U3 e PNP 锗 解： 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ 1） USB = - 2V时： IB=0 ， IC=0 Q位于截止区 4.3 双极型晶体管 解： RC IC UCE IB USC RB USB C B E 下一页 前一页 第 1-* 页 退出本章 2）USB =5V时: IB IBmax， Q位于饱和区。(实际上，此时IC和IB 已不是?的关系，晶体管饱和失真） 4.3 双极型晶体管 RC IC UCE IB USC RB USB C B E 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位于哪个区？ ICMAX ＝ (USC－UCES)/RC ＝(12－0.3)/6 ＝ 1.95(mA) 下一页 前一页 第 1-* 页 退出本章 IBMAX ＝ ICMAX/? ＝ 1.95/50=0.039 mA IB IBmax (=1.95mA) ， Q位于放大区。 3）USB =2V时： 4.3 双极型晶体管 RC IC UCE IB USC RB USB C B E 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位于哪个区？ 下一页 前一页 第 1-* 页 退出本章 IBMAX ＝ ICMAX/? ＝ 1.95/50=0.039 mA 6V 20K 200K 1.5K S 1V A B C 例： 电路如图所示， ?=50，当开关S