点不良维修方法及其不良分析final.ppt

1.TFT元器件发生异常 TFT元器件发生异常可以分为： 造成no via hole的工艺原因 1.TFT元器件发生异常的 造成N + remain，S/D bridge 的工艺原因 造成N+ remain，S/D bridge 的工艺原因 2.一些remain性不良造成的电容效应 Remain性不良产生电容效应可以分为： 造成remain的工艺原因 造成SD bridge，Active remain的工艺原因 造成SD bridge，Active remain的工艺原因 2.一些remain性不良造成的电容效应 4.在cell的过程中上下两层ITO中有P/T造成short 当我们以△Vd为已知量时我们可以得出另一个公式 基本原理图 Laser Recipe Laser recipe Laser recipe Laser recipe * B2 Project Team Change life with heart BOE CD Optronics Technology CO.,LTD AT Engineering Dept. 点不良分析及其维修方法 Array Test 程久阳 * B2 Project Team Change life with heart B2 CF Engineering Dept. * B2 Project Team Change life with heart * B2 Project Team Change life with heart Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 前言： 点不良是最主要的几种不良之一，在所有不良中它也占有很大比例，也是影响良品率的主要因素之一，所以我们有必要对其产生的原因和原理以及维修方法进行详细的分析和研究。 上图是11月份CT input panel总数和各个级别占panel总数的百分比，以及造成panel这种级别的四个主要原因的百分比 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. TFT元器件发生异常 1 一些remain性不良造成的电容效应 2 在维修过程中造成点不良 3 在cell的过程中上下两层ITO中有P/T造成short 4 根据发生原因可以将点不良可以分为以下几大类： Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. open性不良 如 ITO step open、no via hole 原因：一般为invisible不良，是因为pix区域与drain极之间有一个高度差，当ITO沉积到drain极上 时有可能造成的裂痕从而成为ITO open，在gate开启TFT时source无法将电荷加到像素ITO 上，从而造成亮点。 no via hole： 跟ITO open造成亮点的原理一样，在gate开启TFT时source上的电荷无法加到像素ITO上，从而造成亮点。 ITO step open 维修方法：因为invisible不良而且发生的几率很少所以一般情况下都不进行维修. 产生原因： 维修方法：对于这种不良，在Cell Repair是看不到的，所以一般先在Array Repair做drain welding，如果在 CT检测时还时为亮点的话再在cell repair进行一次welding。 Gate Data TFT Cgp Cst Cdp ITO OPEN Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. – Via Mask时由于PR成团现象而导致Exposure 不良 – Particle导致的Develop Blocking Evaluation