常用RAM存储器.doc

常用数据存储器电路(RAM)? ?????第[1],[2]页 ????????6116?2k×8 CMOS静态RAM?????公共I/O端，输入输出与TTL兼容。三台输出，与2716EPROM引脚兼容，单+5V电源，同类型号有：CMD6116、CXK5816、CXK5817、CXK5818、HM6116、HM65162、IDT6116、M5M5116、MB8416、MCM65116、MN4416、MSM5126、SRM2016、TC5517、V61C16等。?????数据手册（英文）?????可供此芯片，需要请联系我们   ????????6264?8k×8 CMOS静态RAM?????输入输出与TTL兼容，I/O端公共，三态输出，引脚大部分与6116兼容，与2764引脚兼容，两个正负逻辑选择端，单+5V电源，同类型号有：CDM6264、CXK5864、CXK5865、IDT7164、LC5565、KM8464、MN4464、MSM5165、MB81C78、uPD4364、uPD4464等。?????数据手册（英文）?????可供此芯片，需要请联系我们 ????????62256?32k×8 CMOS静态RAM?????输入输出均与TTL兼容，三态输出，与27256的引脚兼容，除A13、A14之外，与6264引脚兼容。单+5V电源，类似型号有：HM62256、CXK58256、MB84256、MSM5256、SRM20246、SRM20256，uPD43256等。?????数据手册（英文）?????可供此芯片，需要请联系我们   ????????MB81C86?64k×4 CMOS静态RAM?????输入输出与TTL兼容，自动功率下降，单一+5V电源。?????数据手册（英文） ????????MC6810?128k×8 NMOS静态RAM?????输入输出与TTL兼容，三态输出，输入输出公共端。六个片选端，可直接与微机总线相连，VDD=+5V，类似型号有：HM46810、HM468A10、S6810、S68A10、S68B10、MCM68A10、MCM68B10等。?????数据手册（英文）   ????????658128?128k×8 伪静态RAM?????所有输入输出与TTL兼容，无多路转换地址，512刷新周期，刷新功能分地址刷新，自动刷新。?????数据手册（英文） MCM6256?256k×1位 NCMOS动态RAM?????I/O口分开，三态输出，输入输出与TTL兼容，256刷新地址，与4164引脚具有互换性，高速半字节方式存取，单+5V电源，兼容型号：HM50256，HM50257，AM90C255，AM90C256，KM41256，KM41257，M5M4256，M5M4257，MB1257，MN41256，MSM37256，TMM41256，uPD41256，UPOD41257等。?????数据手册[datasheet]   ????HM6147?4k×1位CMOS静态RAM?????I/O端分开，输出为三态，输入输出与TTL兼容，与4kNMOS静态RAM2147引脚兼容，VDD=5V。 ????HM6167?16k×1位静态RAM?????输入输出均与TTL兼容，三态输出，与2167引脚兼容，VDD=5V，类似型号有51C66，51C67，HM6267，IDT6167，LH5167，M5M21C67，V61C67，uPD4311等。   ????HM6504?4k×1位CMOS时钟RAM?????输入输出与TTL兼容，与时钟RAM4104引脚兼容，DI和R/W在CE下降使被锁存，消耗功率与时钟频率成正比（最大7mW/MHz），有断电方式：VDD=+5V，类似型号IM6504C，MB6504C，MB8404E，MCM1406504，MSM5104RS，NMC6504，TC5504AP/D，SRM6504C。 ????HM6514?4k×1位CMOS时覴AM?????公共输入输出端，三态输出，有备用设备（1mW），输入输出与TTL兼容，与时钟RAM4114引脚兼容，时钟脉冲用CE脚，消耗功率与时钟频率成正比（最大6mA/MHz），VDD=5V，类似型号：IM6514、HM4334、MCM146514、MB8414、MSM5115、NM6514、S6514、SRM6514等。   ????HM6518?1k×1位CMOS时钟RAM?????三态输出，数据输出与TTL兼容，内含地址锁存，只能存取输出锁存内容，有断电方式，VDD=+5V，类似型号：IM65