半导体二极管的特性及主要参数.pptx

1.2　半导体二极管的特性及主要参数 一、 二极管的结构与符号 二、 二极管的伏安特性 三、 二极管的主要参数 四、 二极管电路的分析方法 第一章　半导体二极管 一、 半导体二极管的结构 构成： PN 结 + 引线 + 管壳 = 二极管 符号： VD 分类： 按材料分 硅二极管 锗二极管 按结构分 点接触型 面接触型 平面型 第一章　半导体二极管 二、二极管的伏安特性 正向特性 Uth 死区 电压 iV = 0 Uth = 0.5 V 0.1 V (硅管) (锗管) U  Uth iV 急剧上升 0  U  Uth Uth = (0.6  0.8) V 硅管 0.7 V (0.1  0.3) V 锗管 0.2 V 反向特性 IR U BR 反向击穿 UBR  U  0 iV = IR 0.1 A(硅) 几十 A (锗) U UBR 反向电流急剧增大 (反向击穿) 第一章　半导体二极管 反向击穿类型： 电击穿 热击穿 特别注意： 温度对二极管的特性有显著影响。当温度升高时，正向特性曲线向左移，反向特性曲线向下移。 变化规律是：在室温附近，温度每升高1℃，正向压降约减小2～2.5mV，温度每升高10℃，反向电流约增大一倍。 — PN 结未损坏，断电即恢复。 — PN 结烧毁。 第一章　半导体二极管 温度对二极管特性的影响 T 升高时， UV(th)以 (2  2.5) mV/ C 下降 第一章　半导体二极管 硅管的伏安特性 锗管的伏安特性 第一章　半导体二极管 三、 二极管的主要参数 1. IF — 最大整流电流(最大正向平均电流) 2. URM — 最高反向工作电压，为 UBR / 2 3. IR — 反向饱和电流(越小单向导电性越好) 4. fM — 最高工作频率(超过时单向导电性变差) 第一章　半导体二极管 影响工作频率的原因 — PN 结的电容效应 结论： 1. 低频时，因结电容很小，对 PN 结影响很小。 高频时，因容抗减小，使结电容分流，导致单向 导电性变差。 2. 结面积小时结电容小，工作频率高。 第一章　半导体二极管 四、二极管电路的分析方法 1、理想模型 特性 符号及 等效模型 2、恒压降模型 Uth uv = Uth 0.7 V (Si) 0.2 V (Ge) 3、二极管的折线近似模型 Uth 斜率1/ rD rv Uth 第一章　半导体二极管 4、小信号模型 如果二极管在它的伏安特性的某一小范围内工作，例如静态工作点Q（此时有 。 如果二极管在它的伏安特性的某一小范围内工作，例如静态工作点Q 附近工作，则可把伏安特性看成一条直线，其斜率的倒数就是所求的小信号模型的微变电阻。 等效电路模型 伏安特性 第一章　半导体二极管