日盲紫外光电探测器案例分析.ppt

APD结构 * APD结构 * 吸收区的掺杂浓度较低，厚度可以很长，在正常 工作状态下，吸收区将全部耗尽[8] 提高器件的量子效率，又提高了器件的光谱响应速度[8] 倍增区可以很薄使此区的电场分布比较均匀，在高电场下 可以产生统一的雪崩倍增，而器件的击穿电压为电场强度 在耗尽区长度上的积分[8] SAM 结构 * SAM 结构 * 传统的光电发射紫外光电阴极在技术上已经比较成熟,但也有一些研究机构或者公司在对其进行改进,这些改进工作主要集中在提高阴极灵敏度,降低暗噪声等方面。 [9]目前在传统光电发射紫外探测器研制及生产技术方面处于领先的是德国Prox-itronic公司，其光电阴极在254 nm处辐射灵敏度可达40 mA/W,等效背景辐照度达到10-13W/m2 [9] 。 负电子亲和势AlGaN阴极成为紫外探测器研究的一个重要领域,并且最近几年取得了巨大进展[9] 。加州大学伯克利分校和美国西北大学联合所做的研究曾报道:经过铯激活处理的p型掺杂的Al-GaN反射型光电阴极,在122 nm处所测得的量子效率高达70%～80%，而到360 nm处则降到10%～20%,这比传统的CsI和Cs2Te阴极有了明显的进步[9] 研究进展 * 1.光电测雹仪的原理及构造[9] 2.宇航探测[9] 3.紫外通讯[9] 4.输电线电晕放电检测[9] 5.紫外指纹检测[9] 紫外光电探测仪的应用 * 光电测雹仪的原理及构造 * 紫外通讯 * 输电线电晕放电检测 * 紫外指纹检测 * 参考文献： [1]曹建明 “MgZnO日盲紫外探测器的制备和性能研究” 中国知网长春理大学硕士论文 2011-03-01 [2]姜文海; 陈辰; 周建军; 李忠辉; 董逊“Al_0_66_Ga_0_34_N日盲紫外光电探测器研究”中国知网 半导体技术期刊 2008-12-31 [3]李健; 赵曼 “肖特基型氮铝镓紫外光电探测器”中国知网 中国计量学院学报期刊 2009-09-15 [4] 韩舜 “MgZnO薄膜及其紫外光电探测器制备和特性研究 ”中国知网中国科学院研究生院（长春光学精密机械与物理研究所） 博士论文 2011-04-01 [5]李海龙 “背入射Au_Zr_xTi_1_x_省略_2_Au肖特基结紫外探测器的研究”中国知网 吉林大学硕士论文 2013-05-01 [6]赵曼; 李健; 王晓娟; 周脉鱼; 鲍金河; 谷峰 “肖特基型氮化镓紫外光电探测器性能”中国知网光学学报期刊 2009-12-15 [7]陈厦平 “p-i-n结构4H-SiC紫外光电二极管单管及一维阵列的研制”中国知网厦门大学 博士论文 2007-11-01 [8]陶源; 王平; 尚金萍; 谭红兵 “APD在紫外通信中的应用探讨”中国知网舰船电子工程期刊 2010-05-20 [9]杨杰 “紫外探测技术的应用与进展”中国知网光电子技术期刊 2011-12-28 * Thank you ! * 日盲紫外光电探测器 * 紫外光波长小于280NM [1] 能够对紫外光辐射进行接收和探测的 器件[1] 什么是日盲紫外光电探测器？ * 什么是日盲紫外光电探测器？ * 理想日盲紫外光电探测器的特点 1.对于波长长于280nm的光没有响应[1] 2.量子效率和灵敏度比较高[1] 3.抗辐射性能和化学稳定性超强[1] 4.背景噪声比较低[1] 5.探测区域广阔[1] * MgZnO [1] 4H-SiC [1] GaN /AlGaN [1] 日盲紫外光电探测器的制备材料 * 能在高温度和高能量下工作[1] 光电材料, 量子效率很低, 带隙不可调制[1] 4H一SIC 4H一SIC：间接带隙, 带隙为3.26eV [1] 高熔点(28300C) [1] 高热传导性(4.9一SW/cm.k) [1] * 4H-SiC * 4H一SIC 采用4H-SiC已经成功制备了肖特基势垒光电二极管、MSM光电探测器、PIN光电探测器和APD等[2] * 具有匹配的单晶衬底[4] 生长温度较低(100一7500e)