英特尔至强处理器5600系列产品简介.pdf
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英特尔 支持双处理器嵌入式计算的英特尔至强处理器5100系列产品简介.pdf
平台简介
英特尔®至强®处理器5100系列
嵌入式计算
支持双处理器嵌入式计算的英特尔®至强®
处理器5100系列
产品概述
基于65nm技术的英特尔®至强®处理器5100系列是英特尔的64
位双核处理器产品，具有更长的生命周期支持。该产品系列非常适
合以下应用平台：存储区域网络(SANs)、网络附加存储(NAS)、路由
器、IP-PBX、融合/统一通信平台、高级内容防火墙、统一威胁管理
(UTM)系统、医疗影像设备、军用信号和影像处理以及电信(无线和
有线)服务器。
英特尔至强处理器5100系列整合了英特尔®酷睿™微架构，具有更
高的节能性能，并提供多种低电压选项，使设备制造商们能够更好
地
-
英特尔 面向嵌入式计算平台的45纳米英特尔至强处理器5400 5200 3000系列产品简介.pdf
产品简介
45纳米英特尔®至强处理器
嵌入式计算
®®
面向嵌入式计算平台的45纳米英特尔至强
处理器5400/5200/3000系列
提升高性能刀片式服务器平台的性能及能效
产品概述
2.5
SPECint_base2000
27%1
98
这些英特尔®至强®处理器系列拥有延长的生命周期支持，采231
2.0
用了英特尔的以铪元素为基础的45纳米高介电常数(high-k)SPECint_base2000
98
硅处理技术、可降低功耗、提高工作速度，并可将晶体管密182
1.5
度从以往65纳米技术的水平提高至8.2亿晶体管。在相同SPECfp_base2000
∆98
的散热功耗下，英特尔®
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英特尔至强处理器E3-1200产品系列简介.pdf
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英特尔奔腾D处理器产品简介.pdf
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英特尔 专为嵌入式计算而设的英特尔至强处理器（含512KBL2高速缓存）和低电压英特尔至强处理器产品简介.pdf
®™
512KBL2
®™
512KBL2®™
®™
––
512KBL2®E7500
®E7501
2L2512KB1
L1
NASSAN
1
NetBurst®144
SIMD2SSE2
HT
2.0GHz2.4GHz
2.8GHz
1.6GHz
2.0GHz2.4GHz
E7500
E7501
I/O
®™512KBL2®™
NetBurst®2x
NetBurst
400MHz533MHz
GHz
512KBL2®™
GHzMHzL2Tcase
RK80532KE0725122.8533512K77.01.5V72°C604FC-mPGA-2p
RK80532KE0565122.453
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英特尔 面向嵌入式应用的英特尔四核处理器5300系列产品简介.pdf
产品简介
英特尔®至强®四核处理器
面向嵌入式应用
®®
面向嵌入式应用的英特尔至强
四核处理器5300系列
产品概述产品主要特点
英特尔®至强®四核处理器5300Δ系列是业界首批基于英特尔®架构
•借助65纳米技术，英特尔至强四核处理器5300系列融合了双
的四核处理器，其生命周期支持也得到拓展。这些65纳米处理
处理容量四核处理器的所有优点。为多线程应用程序提供大量
器已通过两种不同的芯片组验证，以便于为广泛应用领域灵活
性能空间，每个平台可使用多达八个高性能核心，以履行并行
选择具有双处理器的平台：
任务。
•基于英特尔®5000P芯片组的平台可提供64GB的最大FB-DIMM
•基于英
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英特尔 支持嵌入式计算的英特尔凌动处理器Z5xx系列产品简介.pdf
产品简介
英特尔®凌动™处理器
嵌入式计算
支持嵌入式计算的英特尔®凌动™处理器
Z5xx系列
产品概述
英特尔®凌动™处理器Z5xx系列提供多种设计选择，包括2.0
和2.2瓦特的散热设计功耗1
(TDP)、两种封装尺寸以及工业和商
用两种温度范围。这些处理器基于45纳米英特尔®架构，采用
创新的电源管理技术，是散热受限和无风扇嵌入式应用的理想
之选。这些处理器具有嵌入式生命周期的支持，与之前的32位
英特尔®架构及其他芯片保持良好的软件兼容。
这些单核处理器与英特尔®系统控制集线器(SystemController
Hub)US15W(英特尔®SCHUS15W,提供两种封装尺寸)一起工
作
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英特尔 用于实用计算的英特尔奔腾4处理器-M产品简介.pdf
®
®
–
1.7GHz2.2GHz1
400MHz3.2GB
®NetBurst™
-®®III
-18KB
-
1
1281
12K
-SIMD
-2
2SSE2144
(ALU)
128SIMD128
-512KB2(ATC)2SIMD
-
ATC
-2
-8®845E
-2562
0.13µ
-
4GB
64GB
-
®®4-M
4-M
L24-M
®
®
Micro-FC-PGA478
-
英特尔 超低电压英特尔赛扬处理器产品简介.pdf
®®
®®
256KL2
400MHz650MHzµFCBGA
BOM
400MHz650MHz400MHz
®
0.13400MHz
256K100MHz
L2
4.2WTDP3.75WTDP
µFCBGA®®
440MX815E
-µFCBGA35x35mm
-479650MHz
650MHz
-Tjunction0°100°C
100MHz
8.3WTDP7.0WTDP
™
MMX
440MX815E
FPU
ECC
L2
®®
®100MHz
256K
L20.13
®®
MHzMHzL2Tjunction
RJ80530VY650256650100256K8.3W1.1V0-100°
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英特尔 第二代英特尔奔腾M处理器产品简介.pdf
90®®M
®®M
90(nm)®®M
®
90M
3100®915GME
®E7520®E7320®E7501
®855GME90
•
M
–
–
–
•
∆
–®®M7602.0GHz–2MB(ATC)
533MHz(FSB)
ƥSIMDSIMD2
–
®®M7451.8GHz
400MHz(FSB)144128SIMD128
SIMD
–®®M738∆1.4GHz
400MHz(FSB)•90
•
•
–915GMEE7520
•
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适用于英特尔至强处理器E3-1200产品系列的英特尔核芯显卡P3000.pdf