电子束直写邻近效应校正技术.PDF

第 卷增刊 半 导 体 学 报 24 VOl. 24 SupplemeHt 年 月 2003 5 C~INESE JOURNAL OF SEMICONDUC ORS May 2003 电子束直写邻近效应校正技术 1 2 1 1 1 1 1 陈宝钦 任黎明 刘 明 王云翔 龙世兵 陆 晶 李 泠 中国科学院微电子中心 北京 (1 100029) 北京大学微电子学系 北京 (2 100871) 摘要 通过蒙特卡罗模拟方法研究电子散射过程 探讨邻近效应产生机理并寻求有效的邻近效应校正途径 实验结 : . 果表明 邻近效应现象是一种综合效应 可以通过优化工艺条件有效地抑制邻近效应的影响 使邻近效应校正达到 : 预期的效果. 关键词 纳米结构图形 电子束直写 蒙特卡罗模拟 邻近效应校正 : 9 9 9 EEACC : 2550G 9 2570 中图分类号: 305. 7 文献标识码: 文章编号: 0253-4177(2003) 0-0221-05 N A S 束曝光邻近效应的产生机理进行深入研究 本文主 . 1 引言 要介绍采用电子束曝光蒙特卡罗(MOHte CarlO ) 模 拟技术模拟电子束曝光过程 研究不同曝光条件对 随着我国纳米技术和纳米电子学的蓬勃发展 抗蚀剂吸收能量密度的影响 获得抗蚀剂吸收能量 纳米加工技术的研究越来越重要 而电子束曝光技