Flash存储W25Q16芯片.pdf

Flash 存储 W25Q16 芯片 1 一般描述 W25Q16BV(16M-bit)是为有限的空间、引脚和功耗的系统提供一个存储解决方案。25Q 系 列比普通的串行Flash 存储器更灵活，性能更优越。基于双倍/ 四倍的SPI，它们能够可以 立即完成提供数据给RAM，包括存储声音、文本和数据。芯片支持的工作电压2.7V 到 3.6V，正常工作时电流小于4mA ，掉电时低于1uA。工作温度为-40℃到85℃。所有芯片 提供标准的封装。 W25Q16BV 由8192 个编程页组成，每个编程页256-bytes。每页的256 字节用一次 页编程指令即可完成。每次擦除16 页（扇区擦除）、128 页（32KB 块擦除）、256 页 （64KB 块擦除）和全片擦除。W25Q16BV 有512 个可擦除扇区或32 个可擦除块。最小 4KB 扇区允许更灵活的应用去要求数据和参数保存（见图2 ）。 W25Q16BV 支持标准串行外围接口（SPI ），和高速的双倍/ 四倍输出，双倍/ 四倍用 的引脚：串行时钟、片选端、串行数据I/O0(DI)、I/O1(DO)、I/O2(WP)和I/O3(HOLD)。 SPI 最高支持104MHz，双倍速是208MHz，四倍速是416MHz 。这个传输速率比得上8 位和16 位的并行Flash 存储器。连续读模式允许利用少至8-clocks 指令去读取24-bit 地 址来实现高效的存储访问，允许真正的XIP(execute in place)操作。 HOLD 引脚和写保护引脚可编程写保护。此外，芯片支持JEDEC 标准，具有唯一的64 位 识别序列号。 2 特性 l SPI 串行存储器系列 ●灵活的4KB 扇区结构 -W25Q80:8M 位/1M 字节(1,048,576) -统一的扇区擦除（4K 字 节） -W25Q16:16M 位/2M 字节(2,097,152) -块擦除（32K 和64K 字 节） -W25Q32:32M 位/4M 字节(4,194,304) -一次编程256 字节 -每256 字节可编程页 -至少100,000 写/擦除 周期 -数据保存20 年 ●标准、双倍和四倍SPI -标准SPI:CLK、CS、DI、DO、WP、HOLD ●高级的安全特点 -双倍SPI:CLK、CS、IO0、IO1、WP、HOLD -软件和硬件写保护 - 四倍SPI:CLK、CS、IO0、IO1、IO2、IO3 -选择扇区和块保护 -一次性编程保护 (1) ●高性能串行Flash 存储器 -每个设备具有唯一的 64 位ID(1) - 比普通串行Flash 性能高8 倍 注1： -104MHz 时钟频率 这些特点在特殊订单 中。 -双倍SPI 相当于208MHz 请联系Winbond 获 得更详细资料。 - 四倍SPI 相当于416MHz ●封装 -40MB/S 连续传输数据 -8-pinSOIC 208-mil -50MB/S 随机存取（每32 字节）