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华邦W25Q16存储器颗粒SPI编程W25X16、W25X32 和 W25X64 系列 FLASH 存储器可以为用户提供存储解决方案，具有“PCB 板占用空间少”、“引脚数量少”、“功耗低”等特点。与普通串行 FLASH 相比，使 用更灵活，性能更出色。它非常适合做代码下载应用，例如存储声音，文本和数据。工作电 压在 2.7V-3.6V 之间，正常工作状态下电流消耗 0.5 毫安，掉电状态下电流消耗 1 微安。所 有的封装都是节省空间型的。W25X16、W25X32 和 W25X64 分别有 8192、16384 和 32768 可编程页，每页 256 字节。 用页编程指令每次就可以编程256个字节。用扇区(sector)擦除指令每次可以擦除 16 页，用“块(block)擦除指令”每次可以擦除 256 页，用“整片擦除指令”即可以擦除 整个芯片。W25X16、W25X32 和 W25X64 分别有 512、1024 和 2048 个可擦除扇区或 32、64 和 128 个可擦除“块”。W25X16、W25X32 和 W25X64 支持标准的 SPI 接口，传输速率最大 75MHz。四线制:①:串行时钟引脚 CLK;②:芯片选择引脚 CS;③:串行数据输出引脚 DO;④:串行数据输入输出引脚 DIO。(注意:第④引脚“串行数据输入输出引脚 DIO”的解释:在普通情况下，这根引脚是“串行输入引脚(DI)，当使用了快读双输出指令(Fast Read Dual Output instruction)时，这根引脚就变成了 DO 引脚，这种情况下，芯片就有了两个 DO 引脚了，所以叫做双输出，这时，如果与芯片通信的速率相当于翻了一倍，所以传输速度更快。)另外，芯片还具有保持引脚(HOLD)、写保护引脚(WP)、可编程写保护位(位于状 态寄存器 bit1)、顶部和底部块的控制等特征，使得控制芯片更具灵活性。芯片支持 JEDEC 工业标准。引脚排布：原理图：控制和状态寄存器说明S7S6S5S4S3S2S1S0SRP(Reservd)TBBP2BP1BP0WELBUSY通过读状态寄存器指令读出的状态数据可以知道芯片存储器阵列是否可写或不可写，或是否处于写保护状态。通过写状态寄存器指令可以配置芯片写保护特征。状态寄存器：忙位(BUSY)BUSY 位是个只读位，位于状态寄存器中的 S0。当器件在执行页编程、扇区擦除、 块区擦除、芯片擦除、写状态寄存器指令时，该位自动置 1。这时，除了读状态寄 存器指令，其它指令部忽略。当编程、擦除和写状态寄存器指令执行完毕之后，该位自动 变为 0，表示芯片可以接收其它指令了。写保护位(WEL)WEL 位是个只读位，位于状态寄存器中的 S1。执行完写使能指令后，该位置 1。 当芯片处于写保护状态下，该位为0。在下面两种情况下，会进入写保护状态 ? 掉电后? 执行以下指令后写禁能、页编程、扇区擦除、块区擦除、芯片擦除和写状态寄存器块区保护位(BP2,BP1,BP0)BP2\BP1\BP0 位是可读可写位，分别位于状态寄存器的 S4\S3\S2。可以用写状态寄存器命令置位这些块区保护位。在默认状态下，这些位都为 0，即块区处于未保护状态下。 可以设置块区没有保护、部分保护或者是全部处于保护状态下。当 SPR 位为 1 或/WP 引脚 为低的时候，这些位不可以被更改。底部和顶部块区保护位(TB)TB 位是可读可写位，位于状态寄存器的 S5。该位默认为 0，表明顶部和底部块区处于未被保护状态下。可以用写状态寄存器命令置位该位。当 SPR 位为 1 或/WP 引脚为低 的时候，这些位不可以被更改。保留位状态寄存器的 S6 为保留位，读出状态寄存器值时，该位为 0。建议读状态寄存器值用于测试时将该位屏蔽。状态寄存器果护位（SRP）SRP 位是可读可写位，位于状态寄存器的 S7。该位结合/WP 引脚可以实现禁能写状态寄存器功能。该位默认值为 0。当 SRP 位=0 时，/WP 引脚不能控制状态寄存器的写禁能。当 SRP 位=1，/WP 引脚=0 时，写状态寄存器命令失效。当 SRP 位=1，/WP 引脚=1 时，可以执行写状态寄存器命令。状态寄存器存储保护模块：1、写使能时序图（指令:0x06）：“写使能”指令将会使“状态寄存器”WEL位置位。在执行每个“页编程”、“扇区擦除”、“块区擦除”、“芯片擦除”、和“写状态寄存器”命令之前，都要先置位 WEL。/CS 引脚先拉低之后，“写使能”指令代码06h 从DI引脚输入，在CLK 上升沿采集，然后再拉高/CS 引脚 。程序设计流程：使能片选位，拉低CS引脚；CLK起始状态或高电平或低平，配置数据采集从CLK第一个上升沿开始；等待发送缓冲区是否为空，SPI_SR的TXE位；将数据