退火工艺对二维MoSe₂薄膜及相关器件性能影响的深度剖析.docx
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退火工艺对二维MoSe?薄膜及相关器件性能影响的深度剖析
一、引言
1.1研究背景与意义
随着科技的飞速发展，二维材料因其独特的物理性质和潜在的应用价值，成为了材料科学领域的研究热点。二维MoSe?薄膜作为一种典型的过渡金属硫属化合物（TMDs），具有诸多优异的特性，在光电子、能源存储等领域展现出了广阔的应用前景。
在光电子领域，二维MoSe?薄膜具有直接带隙特性，其带隙大小可在一定范围内进行调控，这使得它在光电探测器、发光二极管、激光器等光电器件中具有潜在的应用价值。例如，基于二维MoSe?薄膜的光电探测器能够实现对不同波长光的高效探测，有望应用于安防监控、生物医学检测、环境监测等领
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