GB/T 24580-2009重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法.pdf

犐犆犛２９．０４５ 犎 ８０ 中华人 民共和 国国家 标准 ／ — 犌犅犜２４５８０ ２００９ 重掺 型硅衬底中硼沾污的 狀 二次离子质谱检测方法 犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱犳狅狉犿犲犪狊狌狉犻狀 犅狅狉狅狀犮狅狀狋犪犿犻狀犪狋犻狅狀犻狀犺犲犪狏犻犾犱狅犲犱狀狋 犲 犵 狔 狆 狔狆 狊犻犾犻犮狅狀狊狌犫狊狋狉犪狋犲狊犫 狊犲犮狅狀犱犪狉犻狅狀犿犪狊狊狊犲犮狋狉狅犿犲狋狉 狔 狔 狆 狔 ２００９１０３０发布 ２０１００６０１实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发 布 中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 ／ — 犌犅犜２４５８０ ２００９ 前 言 　　 本标准修改采用 《用二次离子质谱法测量重搀杂 型硅衬底中的硼污染的方 ＳＥＭＩＭＦ１５２８１１０４ Ｎ 　　 法》。本标准对 格式进行了相应调整。为了方便比较，在资料性附录 中列出了 ＳＥＭＩＭＦ１５２８１１０４ Ｂ 本标准章条和ＳＥＭＩＭＦ１５２８１１０４章条对照一览表。并对 ＳＥＭＩＭＦ１５２８１１０４条款的修改处用垂直 单线标识在它们所涉及的条款的页边空白处。 本标准与 ＳＥＭＩＭＦ１５２８１１０４相比，主要技术差异如下： ———去掉了“目的”、“关键词”； ———将实际测试得到的单一试验室的精密度结果代替原标准中的精度和偏差部分，并将原标准中 的精度和偏差部分作为资料性附录 。 Ａ 本标准附录 和附录 为资料性附录。 Ａ Ｂ 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。 本标准起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研 究所。 本标准主要起草人：马农农、何友琴、丁丽。 Ⅰ ／ — 犌犅犜２４５８０ ２００９ 重掺 型硅衬底中硼沾污的 狀 二次离子质谱