二维范德华异质结WSe2_VSe2的能谷结构及调控研究.pdf

目录

摘要I

AbstractIV

1绪论1

1.1引言1

1.1.1石墨烯和TMDs谷电子材料1

1.1.2转角石墨烯和转角TMDs发展2

1.2能谷相关物理3

1.2.1能谷物理相关特性3

1.2.2SOC效应6

1.3二维TMDs材料及其vdWs异质结7

1.3.1二维TMDs材料的基本结构与性质7

1.3.2二维TMDs材料vdW异质结的性质10

1.3.3TMDs谷电子学的研究进展11

1.3.4铁谷材料——二硒化钒（VSe）12

2

1.4转角石墨烯特性概述及转角TMDs研究进展13

1.4.1狄拉克锥概述13

1.4.2平带概述15

1.4.3转角TMDs的研究进展16

1.5本论文的研究内容17

2基础理论及计算软件19

2.1密度泛函理论（Densityfunctionaltheory,DFT）19

2.2交换关联泛函20

2.3HubbardU21

2.4范德华力修正21

2.5VASP的简要介绍22

3WSe、VSe及WSe/VSe异质结构的能谷特性23

2222

3.1引言23

3.2计算细节24

3.3结果与讨论25

3.3.1单层WSe和单层VSe的能谷性质25

22

3.3.2WSe/VSe异质结的电子结构26

22

3.3.3WSe/VSe异质结能谷特性分析29

22

3.4本章小结31

4应力调控下WSe/VSe异质结能谷特性32

22

4.1引言32

4.2计算细节32

4.3结果与讨论33

4.3.1水平应力调控自旋-谷劈裂特性33

4.3.2垂直应力调控自旋-谷劈裂特性36

4.4本章小结37

5转角WSe/VSe莫尔超晶格中狄拉克锥和平带共存现象39

22

5.1引言39

5.2计算细节40

5.2.1计算模型构建40

5.2.2计算参数设置41

5.3结果与讨论41

5.3.1库伦相互作用对WSe、VSe和WSe/VSe异质结电子性质的影响41