GB/T 17008-1997绝缘栅双极型晶体管的词汇及文字符号.pdf

GB/T17008一1997 健岁 前 「1 本标准主要依据下列国际标准或标准草案而制订： IEC/TC47(C0)1339 绝缘栅双极型晶体管的概念 IEC/TC47(Sec)1251 绝缘栅双极型晶体管的新概念和文字符号 IEC/TC47(Sec)1282 绝缘栅双极型晶体管的额定值、特性和测试方法 IEC747-8第I章 场效应晶体管的术语和文字符号 凡上述标准中被本标准采纳的术语和文字符号在技术内容上等效。本标准编写规则按等效采用了 国际导则的GB/T1.1-1993《标准化工作导则 第1单元：标准的起草与表述规则 第 1部分：标准编 写的基本规定》。 这样，通过使我国标准内容和编写规则尽可能与国际一致或等同，以尽快适应国际贸易、技术和经 济交流以及采用国际标准飞跃发展的需要。 本标准由机械工业部提出。 本标准由全国半导体器件标准化技术委员会归口。 本标准由机械部西安电力电子技术研究所负责起草。 本标准主要起草人：秦贤满。 中华人 民共和 国国家标 准 绝缘栅双极型晶体管的词汇及文字符号 GB/T17008-1997 Terminologyandlettersymbols forinsulated-gatebipolartransistor 范围 本标准规定了绝缘栅双极型晶体管(I（GBT）的类型、结构、额定值和特性的术语及通用文字符号。 本标准适用于制订标准、编订技术文件、编写和翻译专业手册、教材及书刊。 2 一般术语 2.1源区 sourceregion 多数载流子流人沟道的起始区域。 2.2 漏区 drainregion 接收从沟道流出的多数载流子的区域。 2.3漏注人区 draininjectorregion 位于场效应结构的漏区和漏极间并与漏区极性相反的半导体界面区。 注 1 当主电流流动时，漏注人区注人漏区的附加少数载流一子使漏区电导增强。 2 在实际器件制作中，IGBT的衬底起漏注人区的作用。 2.4 栅区 gateregion 与栅电极连接的，栅极控制电压产生的电场能起作用的仄域。 2.5 沟道 channel 在源区和漏区之间的半导体薄层，流经该薄层的电流受栅极电位控制。 2.6 亚沟道区 subcbannelregion 源区和漏区之间的区域。 注：一般，亚沟道区由两个不同掺杂部分组成，即形成沟道的轻掺杂部分和流过双极晶体管结构的集电极电流的重 掺杂部分。 2.7 漏极 drain 附于漏注人区上的电极。 2.8 集电极端 collectorterminal 连接漏极的端。 2.9 源极 source 附于源区和部分亚沟道区＿L:的电极，该部分亚沟道区流过双极晶体管结构的集电极电流。 2.10 发射极端 emitterterminal 连接源极的端。 2.11 栅极 gate 附于栅区上的电极。 国家技术监督局 1997一10一05批准 1998一08一01实施 GB/T 17008一 1997 2.12栅极端 gateterminal 连接栅极的端。 2.13耗尽模式s作 depletionmodeoperation 漏极电流值随栅极一源极电压从零变为限定值而减少的工作方式。 2.14 增强模式工作 enhancementmodeoperation 漏极电流值随栅极一源极电压从零变为限定值而增大的工作方式。 3 类型 3.1绝缘栅双极型晶体管 I（GBT)insulated-gatebipolartransistor 一种绝缘栅场效应晶体管： 具有 “漏注人区，；’ 源极与场效应结构的亚沟道区连接，使漏极和源极间形成双极晶体管结构； 当主电流流过时，漏注人区的作用如象双极晶体管结构的发射极一样向场效应结构的漏区注人少 数载流子，从而增强漏区的电导 见（图