DB3202_T 1033-2022 硅集成电路芯片制造企业职业病危害预防控制技术规范.docx

ICS13.100CCSC52

DB3202

无锡市地方标准

DB3202/T1033—2022

硅集成电路芯片制造企业职业病危害预防控制技术规范

TechnicalSpecificationforpreventionandcontrolofoccupationalhazardsinbatterymanufacturingindustry

2022-07-20发布2022-07-27实施

无锡市市场监督管理局发布

I

DB3202/T1033—2022

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

本文件由无锡市卫生健康委员会提出并归口。

本文件主要起草单位：无锡市疾病预防控制中心、江阴市疾病预防控制中心、海力士半导体（中国）有限公司、无锡华润上华科技有限公司、无锡国通环境检测技术有限公司、江苏省疾病预防控制中心。

本文件主要起草人：秦宏、张金龙、孙纳、石远、许怡文、檀海霞、赵枫、王海飞、张恒东。

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DB3202/T1033—2022

硅集成电路芯片制造企业职业病危害预防控制技术规范

1范围

本文件规定了硅集成电路芯片制造企业职业病危害预防控制的基本要求、职业接触的危害识别与风险评估、职业卫生防护措施、应急救援以及职业病危害防治工作的评估技术要求。

本文件适用于无锡市范围内硅集成电路芯片制造企业硅片制造、装配与封装阶段的职业病危害预防控制。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB50019工业建筑采暖通风与空气调节设计规范

GB50033建筑采光设计标准

GB50034建筑照明设计标准

GB50073洁净厂房设计规范

GB50187工业企业总平面设计规范GBZ1工业企业设计卫生标准

GBZ2.1工作场所有害因素接触限值第1部分：化学有害因素

GBZ2.2工作场所有害因素接触限值第2部分：物理因素

GBZ98放射工作人员健康要求及监护规范

GBZ158工作场所职业病危害警示标识

GBZ159工作场所空气中有害物质监测的采样规范GBZ/T160（所有部分）工作场所空气有毒物质测定GBZ188职业健康监护技术规范

GBZ/T189（所有部分）工作场所物理因素测量

GBZ/T192（所有部分）工作场所空气中粉尘测定GBZ/T203高毒物品作业岗位职业病危害告知规范GBZ/T205密闭空间作业职业危害防护规范

GBZ/T224职业卫生名词术语

GBZ/T225用人单位职业病防治指南

GBZ/T229（所有部分）工作场所职业病危害作业分级GBZ/T230职业性接触毒物危害程度分级

GBZ/T300（所有部分）工作场所空气有毒物质测定

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3术语和定义

GBZ/T224界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3.1

硅片制造wafermake

在硅单晶薄片上进行一系列复杂的化学或者物理操作得到集成电路芯片的过程。3.2

装配与封装packaging

制造出的芯片被从硅片上分离出来，通过接线端与内部的电路元件相连并装配到最终集成电路的保护性容器中。

3.3

化学气相沉积chemicalvapordeposition；CVD

利用气态的化学材料在硅片表面产生化学反应，并在硅片表面上淀积形成一层固体薄膜，如二氧化硅、各种硅玻璃、多晶硅、氮化硅、钨与硅化钨等。

3.4

扩散diffusion

在衬底材料中加入少量杂质，如硅或锗，使杂质分布在衬底中的一种半导体制作工艺。3.5

光刻lithography

将掩膜板上的图形在感光材料光刻胶上成像的过程。流程一般分为气相成底膜、旋转涂胶、软烘、对准和曝光、曝光后烘培、显影、坚膜烘焙等。

3.6

离子注入IonImplantation

携带离子的原子在电场的作用下，进入半导体材料，是半导体材料中搀杂的一种工艺方法。3.7

薄膜thin-film

使用半导体或绝缘体材料的淀积薄膜，制作成不同的形状，在衬底上形