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国内外发展现状及趋势
二、项目详细内容
1、项目意义与必要性
研究表明,晶硅材料的少子寿命和光伏电池的转换效率相关性极大。定向凝固生长的多晶硅锭中有着高密度的位错,(位错密度典型值大约在105-6/cm2)和亚晶界等缺陷,一般来说,纯净的位错对多晶硅的电学性能不会造成太大影响,但是由于高浓度的位错会与铸造多晶硅中的杂质发生相互作用,通常氧,碳以及过渡族金属等杂质很容易在这些缺陷处沉淀下来,形成新的电活性中心,从而增强对多晶硅中少子的复合能力,显著地降低多晶硅电池的转换效率。因此,为了减小对少子的复合能力,需要降低位错密度或金属杂质含量,这两条技术途径都被证明是有效的,是目前的国内外研发热点。
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