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半导体存储器原理实验.doc

发布:2017-03-28约1.16千字共3页下载文档
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计算机学院 学院 计算机科学与技术专业 班______组、 学号 姓名 协作者___________ 教师评定_____________ 实验题目_半导体存储器原理实验_______________________ 实验目的与要求: 目的: 掌握静态存储器的工作特性及使用方法。 掌握半导体随即存储器如何存储和读取数据 要求: 1.按练习完成相应的操作,并填写表2.1各控制端的状态及记录表2.2的写入和读出操作过程。 实验方案: (1)看存储器实验原理图,并理解原理图 (2)先检查电源是否开。确认电源关后开始接线。 (3)接完线后,检查是否接错。 (4)检查完毕并确认没有错误后,开始操作。 (1)向存储器单元写入数据,按照书上P29页的步骤写入数据。 向存储址单元写入数 (2)做写内容操作(将数据写入指定的地址单元),把数址单元。 (3)读出存储器单元内容。 (5)进行结果测试,操作练习一以及练习二。 实验结果和数据处理: 表2.1 控制信号 写地址 写内容 读内容 SW-B 0 0 1 LDAR 1 0 0/1 CE 1 0-1 0 WE 0/1 1-0 0 结论 结合控制信号SW-B,LDAR,CE,WE能够完成向存储器写入数据和读出数据 2.在输入数据时,不能连续输完地址后再输入内容。即要先写完第一个地址,然后向第一个地址输入地址单元写内容。再写第二个地址。读操作是先写第一个地址,然后读出第一个地址单元的内容。再写第二个地址。 问题与讨论及实验总结 (1)存储器在写操作和读操作的过程中为什么都要先完成写地址操作。 答:在写操作中先完成写地址操作是为了能把数据写到指定的存储单元,从而能使数据不会杂乱。而读操作中写入地址是为了根据地址找内容并读出所要的内容。 (2)写地址的操作完成后,在做写内容操作时,为什么要关闭LDAR? 答:因为LDAR是地址寄存器AR存数控制信号。 (3)存储器读操作需要T3脉冲吗? 答:不需要。 (4)在完成上面练习题操作中,能否先连续输入所有的地址,再连续的输入所有的内容或连续读出所有的内容,为什么? 答:不行。如果先连续输入所有地址再连续输入所有内容,那么会在输入内容的时候出现数据不知道储存在哪个单元。从而使数据杂乱无章。连续读内容也一样,系统不知道该在哪个时候读出哪个数据。 总结:认识到半导体随机存储器的操作以及读取数据操作和原理。 思考选择题:(单选题) 1、( A )  2、( B  )  3、( A )   4、( B )  5、( B )   6 、( B )
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