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GTR和IGBT吸收电路参数的选择.pdf

发布:2017-06-03约7.9千字共3页下载文档
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维普资讯 41 GTR和IGBT吸收电路参数的选择 TheSelectionoftheGTRand叩TS…nubb、erPar.ameters 成都佳灵电气制造公司 兰_皇竺墨 奶 GTR和 IGBT组装的逆变器 ,主电路线路 2 吸收电路 . … 和吸收 电路的引线均有 电感,负载大多为感性 根据圭电路逆变元件额窟电流的太小及组 负载,且这两种元件处于高速开关状态,再加上 装形式.,观将 嗳收回路分为兰类: di/dt的存在,对这两种元件构成 了极太的危 ① lO~1DOA,吸收 回路采用 图 3a或 图 机 。现将如何正确选甩吸收电路参数介绍如下。 3b} . 1 主回路构成与吸收电路 @ 150~300A,各相的吸收同.路 采用 图 以IGBT为例。额定电流为 10~100A的6 3a} 个组装在一个基 板上 ,150~300A 的两个组装 ⑨4o0A以上·奇 的吸性回辟采用图3a 在一个基板上,蚰OA 以上为单个安装 。主电路 和图 3c. ..r . 与 可能为IGBT谴成损坏。其尖峰电压值为 根据图1、式_(1)及能量定恒定律,可得下 crc 一c + Id /at (1) 列关系式 、 式中 ——集.射极间的尖峰电压(v) ,.‘ UcsP=U~+UF(+Lldi/dt u一 直流电压(v 再 由图 2且忽略 (,F ,(快恢复三极管 的管压 厶——主电站和引线电路电感之和(H) /降)得 越 /—— IGBT集电极电流变化速率 (A/s) LlL f‘/z=G (C 一U )/z (2) 关断时iGBT.上的电压、电流变化{li线『如 由式(2)可得 图2所示。 。 一 G=Lt, /(Uc~-- ) (3) R。≤1/6Gf (4)
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