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IGBT的基础知识IGBT的基本结构,参数选择,使用注意事项.pdf

发布：2024-03-17约3.71千字共5页下载文档
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1.IGBT的基本结构

绝缘栅双极晶体管（IGBT）本质上是一个场效应晶体管，只是在漏极和漏区之间多了

一个P型层。根据国际电工委员会的文件建议，其各部分名称基本沿用场效应晶体管

的相应命名。

图1所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区，附于其上的电

极称为源极。N+区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟

道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区（包括P+和P一区）（沟道在该区域

形成），称为亚沟

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