太阳能电池生产工艺原理.ppt

感谢大家观看第64页,共64页，2024年2月25日，星期天**sfds装片1、检验职责：懂得各确认硅片包装是否破损、确认在制品数量、确认硅片内包装是否破损

及包装盒数、确认包装标签信息与配料单信息是否一致、硅片外观检测。

２、装片要点：带一次性手套、承载盒下面垫海绵条、将硅片捻成扇形插片、区分不良品、

放置不良品、纪录表单

能发现生产过程中的各种问题，并及时向上级汇报，争取在第一时间内解决问题。与组员团结协作，空闲时帮助其他组员完成工作，共创有意义的工作环境。第32页,共64页，2024年2月25日，星期天制绒岗位须知与步骤制绒须知：了解清洗间使用的各种原辅料的特性（包括：硅片、HF酸、HCL酸、铬酸、酒精、硅酸钠），做到能正确辨别、正确使用。懂得各种溶液的配备及生产过程中的正确防护。保证送入扩散间的硅片与相应的流程卡一一对应，而且数据准确。懂得各《操作记录》及《工序流程卡》的正确填写，确保生产过程中的统计准确。制绒步骤：佩带防护眼镜、口罩、手套－花篮准备－将硅片防入花篮－机器上料－开始制绒－制绒２０分钟－开启制绒槽盖－抽检一片－目视制绒效果（有无白斑）－将硅片放入槽中关闭槽盖－放入水槽－抽检一片－氮气枪吹干－电子显微镜观察绒面－将硅片放入水槽－开启制绒槽－化学品加液－关闭制绒槽盖－制绒完毕－填写表单单晶制绒：用碱腐蚀多晶制绒：用酸腐蚀制绒作用：减少反射，增强对太阳光的吸收。第33页,共64页，2024年2月25日，星期天单晶制绒的原理：硅的各向异性腐蚀，在不同的晶向上的腐蚀速度不一致，在100面上的腐蚀速率与111面上的腐蚀速率R111的比值R100：R111在一定的弱碱溶液中可以达到500反应方程式：2NaOH+Si+H2O=Na2SiO3+2H2↑第34页,共64页，2024年2月25日，星期天太阳电池制造过程-化学清洗HCL去除硅片表面的金属离子HF去除硅片表面的氧化物P型半导体硅第35页,共64页，2024年2月25日，星期天单晶的各种形貌单晶原始形貌（500倍）单晶绒面（500倍）单晶绒面（SEM）多晶绒面（SEM）第36页,共64页，2024年2月25日，星期天扩散间取片拿石英舟上桨装片进炉设置参数测片取片流入下道工序传递箱第37页,共64页，2024年2月25日，星期天太阳电池制造过程-扩散在P型半导体表面掺杂五价磷元素在硅片表面形成PN结外层：磷硅玻璃中间：N型半导体硅P型半导体硅P型硅N型硅磷硅玻璃(PSG)第38页,共64页，2024年2月25日，星期天PN结——太阳电池的心脏扩散的目的：形成PN结第39页,共64页，2024年2月25日，星期天扩散装置示意图第40页,共64页，2024年2月25日，星期天四探针测量方块电阻电位差计单晶硅1234扩散原理化学方程式:懂得石英管、SIC桨及其它石英器件的拆卸、清洗和安装。懂得石英管清洗机的使用及相应清洗液的配备。懂得在手动及自动状态下对扩散舟及扩散管进行TCA和饱和。懂得装片、卸片的正确方法，并确保扩散舟及钝化舟的正确使用。懂得四探针测试仪的正确使用及方块电阻的正确测量。懂得生产过程中方块电阻的正确控制，确保方块电阻处于要求范围。扩散操作重点扩散原理及检测第41页,共64页，2024年2月25日，星期天刻蚀间夹片取片去PSG刻蚀上料整理插片取片甩干检测运行第42页,共64页，2024年2月25日，星期天太阳电池制造过程-等离子体刻蚀刻蚀目的：去除边缘PN结，防止上下短路等离子体刻蚀原理：等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性反应物而被去除。这种腐蚀方法也叫做干法腐蚀。刻蚀方法：１：干法刻蚀２：湿法刻蚀P型半导体硅P型硅N型硅磷硅玻璃(PSG)第43页,共64页，2024年2月25日，星期天等离子体刻蚀检验检验操作及判断：确认万用表工作正常，量程置于200mV。冷探针连接电压表的正电极，热探针与电压表的负极相连。如果经过检验，任何一个边沿没有刻蚀合格，则这一批硅片需要重新装片，进行刻蚀。检验方法：冷热探针法刻蚀机原理化学方程式去PSG原理化学方程式O2是作用：加快CF4与硅片边缘PN结的反应